Το M55342E09B4E99RWS είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την M55342E09B4E99RWS, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το M55342E09B4E99RWS μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε M55342E09B4E99RWS με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
M55342E09B4E99RWS
- Αριθμός εξαρτήματος:
- M55342E09B4E99RWS
- Κατασκευαστής:
- Dale / Vishay
- Περιγραφή:
- RES SMD 4.99K OHM 1% 1W 2512
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 55690 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- M55342E09B4E99RWS.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Ανοχή: | ±1% |
| Συντελεστής θερμοκρασίας: | ±25ppm/°C |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 2512 |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.259" L x 0.124" W (6.58mm x 3.15mm) |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-55342, RM2512 |
| Λειτουργία του πίνακα: | 4.99 kOhms |
| Ισχύς (Watts): | 1W |
| Συσκευασία: | Tray |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 2512 (6432 Metric) |
| Αλλα ονόματα: | M55342E09B4E99RWS-MIL |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C |
| Αριθμός Απολύσεις: | 2 |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 26 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.033" (0.84mm) |
| Χαρακτηριστικά: | Military, Non-Inductive |
| Ποσοστό αποτυχίας: | R (0.01%) |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 4.99 kOhms ±1% 1W Chip Resistor 2512 (6432 Metric) Military, Non-Inductive Thin Film |
| Σύνθεση: | Thin Film |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για M55342E09B4E99RWS
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
M55342E09B49E9RWS | Dale / Vishay | RES SMD 49.9K OHM 1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B4B75RWS | Dale / Vishay | RES SMD 4.75K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B4B02RWS | Dale / Vishay | RES SMD 4.02K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B4E42RWS | Dale / Vishay | RES SMD 4.42K OHM 1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B511BRWI | Vishay Dale | RES SMD 511K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B4B99RWS | Dale / Vishay | RES SMD 4.99K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B549ARWI | Vishay Dale | RES SMD 549 OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B5B11RTP | Vishay Dale | RES SMD 5.11K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B4B75RWP | Vishay Dale | RES SMD 4.75K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B51B1RWS | Dale / Vishay | RES SMD 51.1K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B5B11RT5 | Dale / Vishay | RES SMD 5.11K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B5B11RWP | Vishay Dale | RES SMD 5.11K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B49D9RWS | Dale / Vishay | RES SMD 49.9 OHM 1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B49D9RWI | Vishay Dale | RES SMD 49.9 OHM 1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B4B70RWS | Dale / Vishay | RES SMD 4.7K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B549DRWS | Dale / Vishay | RES SMD 549 OHM 1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B511BRWS | Dale / Vishay | RES SMD 511K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B4B75RWI | Vishay Dale | RES SMD 4.75K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B549ARWS | Dale / Vishay | RES SMD 549 OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
|
M55342E09B56B9RWS | Dale / Vishay | RES SMD 56.9K OHM 0.1% 1W 2512 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών