Το M550B348K008AG είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την M550B348K008AG, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το M550B348K008AG μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε M550B348K008AG με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
M550B348K008AG
- Αριθμός εξαρτήματος:
- M550B348K008AG
- Κατασκευαστής:
- KEMET
- Περιγραφή:
- CAP TANT POLY 3400UF 8V CHA MNT
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 30394 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- M550B348K008AG.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 8V |
| Τύπος: | Hermetically Sealed |
| Ανοχή: | ±10% |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 1.906" L x 1.110" W (48.40mm x 28.20mm) |
| Σειρά: | M55 |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | M55 Module |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 105°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Μέγεθος Κωδικός: | B |
| Ισόβια @ Temp.: | 2000 Hrs @ 85°C |
| μόλυβδος Απόσταση: | 0.453" (11.50mm) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.445" (11.30mm) |
| Χαρακτηριστικά: | General Purpose |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | 30 mOhm @ 100kHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 3400µF Hermetically Sealed Tantalum Polymer Capacitor 8V M55 Module 30 mOhm @ 100kHz |
| χωρητικότητα: | 3400µF |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για M550B348K008AG
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
M550B348M008AH | KEMET | CAP TANT POLY 3400UF 8V CHA MNT | Έρευνα |
|
M550B347M030AA | KEMET | CAP TANT POLY 340UF 30V CHA MNT | Έρευνα |
|
M550B347M030AG | KEMET | CAP TANT POLY 340UF 30V CHA MNT | Έρευνα |
|
M550B348M008AG | KEMET | CAP TANT POLY 3400UF 8V CHA MNT | Έρευνα |
|
M550B377K075AG | KEMET | CAP TANT POLY 370UF 75V CHA MNT | Έρευνα |
|
M550B348M008AA | KEMET | CAP TANT POLY 3400UF 8V CHA MNT | Έρευνα |
|
M550B347K030AT | KEMET | CAP TANT POLY 340UF 30V CHA MNT | Έρευνα |
|
M550B348M008AT | KEMET | CAP TANT POLY 3400UF 8V CHA MNT | Έρευνα |
|
M550B347K030AS | KEMET | CAP TANT POLY 340UF 30V CHA MNT | Έρευνα |
|
M550B347M030AT | KEMET | CAP TANT POLY 340UF 30V CHA MNT | Έρευνα |
|
M550B348K008AH | KEMET | CAP TANT POLY 3400UF 8V CHA MNT | Έρευνα |
|
M550B347K030AG | KEMET | CAP TANT POLY 340UF 30V CHA MNT | Έρευνα |
|
M550B347K030AH | KEMET | CAP TANT POLY 340UF 30V CHA MNT | Έρευνα |
|
M550B348K008AT | KEMET | CAP TANT POLY 3400UF 8V CHA MNT | Έρευνα |
|
M550B348M008AS | KEMET | CAP TANT POLY 3400UF 8V CHA MNT | Έρευνα |
|
M550B348K008AS | KEMET | CAP TANT POLY 3400UF 8V CHA MNT | Έρευνα |
|
M550B377K075AA | KEMET | CAP TANT POLY 370UF 75V CHA MNT | Έρευνα |
|
M550B347M030AS | KEMET | CAP TANT POLY 340UF 30V CHA MNT | Έρευνα |
|
M550B348K008AA | KEMET | CAP TANT POLY 3400UF 8V CHA MNT | Έρευνα |
|
M550B347M030AH | KEMET | CAP TANT POLY 340UF 30V CHA MNT | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική