Το LXA06B600 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την LXA06B600, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το LXA06B600 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε LXA06B600 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
LXA06B600
- Αριθμός εξαρτήματος:
- LXA06B600
- Κατασκευαστής:
- Power Integrations
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 34386 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- LXA06B600.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 2.94V @ 6A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 600V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-263AB |
| Ταχύτητα: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Σειρά: | Qspeed™ |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 23ns |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Αλλα ονόματα: | 596-1381-2 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | 150°C (Max) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 2 (1 Year) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 16 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Standard 600V 6A Surface Mount TO-263AB |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 250µA @ 600V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 6A |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | - |
| Αριθμός μέρους βάσης: | LXA06B600 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για LXA06B600
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
LXA04T600 | Power Integrations | DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC | Έρευνα |
|
LXA15T600 | Power Integrations | DIODE SCHOTTKY 600V 15A TO220AC | Έρευνα |
 |
LXA10FP600 | Power Integrations | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP | Έρευνα |
 |
SS14LHRQG | TSC (Taiwan Semiconductor) | DIODE SCHOTTKY 40V 1A SUB SMA | Έρευνα |
|
LXA08T600C | Power Integrations | DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO220 | Έρευνα |
 |
LXA08B600 | Power Integrations | DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB | Έρευνα |
|
LXA08FP600 | Power Integrations | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP | Έρευνα |
|
LXA03B600 | Power Integrations | DIODE GEN PURP 600V 3A TO263AB | Έρευνα |
|
LXA06T600 | Power Integrations | DIODE GEN PURP 600V 6A TO220AC | Έρευνα |
|
LXA12T600C | Power Integrations | DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO220 | Έρευνα |
 |
CUS10F30,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC | Έρευνα |
|
LXA03T600 | Power Integrations | DIODE GEN PURP 600V 3A TO220AC | Έρευνα |
|
LXA10T600 | Power Integrations | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC | Έρευνα |
|
LXA20T600 | Power Integrations | DIODE GEN PURP 600V 20A TO220AC | Έρευνα |
 |
LXA03D530 | Power Integrations | DIODE GEN PURP 530V 3A 8SO | Έρευνα |
 |
BAS21_S00Z | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23 | Έρευνα |
|
LXA03D530-TL | Power Integrations | DIODE GEN PURP 530V 3A 8SO | Έρευνα |
|
LXA04B600 | Power Integrations | DIODE GEN PURP 600V 4A TO263AB | Έρευνα |
|
LXA08T600 | Power Integrations | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC | Έρευνα |
|
LXA16T600C | Power Integrations | DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO220 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED