Το LNR1V684MSEB είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την LNR1V684MSEB, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το LNR1V684MSEB μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε LNR1V684MSEB με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
LNR1V684MSEB
- Αριθμός εξαρτήματος:
- LNR1V684MSEB
- Κατασκευαστής:
- Nichicon
- Περιγραφή:
- CAP ALUM 680000UF 20% 35V SCREW
- Ποσότητα αποθέματος:
- 42696 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- LNR1V684MSEB.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 35V |
| Ανοχή: | ±20% |
| Surface Mount Οικόπεδο: | - |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 3.543" Dia (90.00mm) |
| Σειρά: | LNR |
| Ρεύμα ρεύματος @ χαμηλής συχνότητας: | 35.2A @ 120Hz |
| Έλξη ρεύματος @ Υψηλή συχνότητα: | 40.48A @ 10kHz |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Πόλωση: | Polar |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Radial, Can - Screw Terminals |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 85°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis Mount |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 29 Weeks |
| Ισόβια @ Temp.: | 5000 Hrs @ 85°C |
| μόλυβδος Απόσταση: | 1.252" (31.80mm) |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 8.780" (223.00mm) |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 680000µF 35V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 5000 Hrs @ 85°C |
| χωρητικότητα: | 680000µF |
| εφαρμογές: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για LNR1V684MSEB
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
LNR2A153MSEN | Nichicon | CAP ALUM 15000UF 20% 100V SCREW | Έρευνα |
 |
LNR1V684MSE | Nichicon | CAP ALUM 680000UF 20% 35V SCREW | Έρευνα |
|
LNR1V474MSEB | Nichicon | CAP ALUM 470000UF 20% 35V SCREW | Έρευνα |
|
LNR1V684MSEN | Nichicon | CAP ALUM 680000UF 20% 35V SCREW | Έρευνα |
 |
LNR2A103MSE | Nichicon | CAP ALUM 10000UF 20% 100V SCREW | Έρευνα |
 |
LNR2A104MSE | Nichicon | CAP ALUM 100000UF 20% 100V SCREW | Έρευνα |
|
LNR2A104MSEB | Nichicon | CAP ALUM 100000UF 20% 100V SCREW | Έρευνα |
 |
LNR2A153MSE | Nichicon | CAP ALUM 15000UF 20% 100V SCREW | Έρευνα |
|
LNR1V334MSEN | Nichicon | CAP ALUM 330000UF 20% 35V SCREW | Έρευνα |
|
LNR1V683MSEN | Nichicon | CAP ALUM 68000UF 20% 35V SCREW | Έρευνα |
|
LNR1V474MSEN | Nichicon | CAP ALUM 470000UF 20% 35V SCREW | Έρευνα |
|
LNR1V683MSE | Nichicon | CAP ALUM 68000UF 20% 35V SCREW | Έρευνα |
|
LNR1V473MSEN | Nichicon | CAP ALUM 47000UF 20% 35V SCREW | Έρευνα |
|
LNR2A103MSEN | Nichicon | CAP ALUM 10000UF 20% 100V SCREW | Έρευνα |
|
LNR1V473MSE | Nichicon | CAP ALUM 47000UF 20% 35V SCREW | Έρευνα |
|
LNR1V683MSEB | Nichicon | CAP ALUM 68000UF 20% 35V SCREW | Έρευνα |
|
LNR2A153MSEB | Nichicon | CAP ALUM 15000UF 20% 100V SCREW | Έρευνα |
|
LNR2A154MSE | Nichicon | CAP ALUM 150000UF 20% 100V SCREW | Έρευνα |
|
LNR2A104MSEN | Nichicon | CAP ALUM 100000UF 20% 100V SCREW | Έρευνα |
|
LNR1V474MSE | Nichicon | CAP ALUM 470000UF 20% 35V SCREW | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο