Το LM5112Q1SD/NOPB είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την LM5112Q1SD/NOPB, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το LM5112Q1SD/NOPB μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε LM5112Q1SD/NOPB με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
LM5112Q1SD/NOPB
- Αριθμός εξαρτήματος:
- LM5112Q1SD/NOPB
- Κατασκευαστής:
- TI
- Περιγραφή:
- IC MOSFET GATE DVR TINY 7A 6WSON
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 59481 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- LM5112Q1SD/NOPB.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 3.5 V ~ 14 V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 6-WSON (3x3) |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος ανόδου / πτώσης (τύπος): | 14ns, 12ns |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Αλλα ονόματα: | 296-47684-2 LM5112Q1SD/NOPBTR LM5112Q1SD/NOPBTR-ND LM5112Q1SDNOPB LM5112Q1SDTR LM5112Q1SDTR-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Συχνότητα εισόδου: | 1 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Τάση λογικής - VIL, VIH: | 0.8V, 2.3V |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Τύπος εισόδου: | Inverting, Non-Inverting |
| Τύπος πύλης: | N-Channel MOSFET |
| Προσαρμοσμένη ρύθμιση: | Low-Side |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 6-WSON (3x3) |
| Τρέχουσα - Μέγιστη έξοδος (πηγή, νεροχύτης): | 3A, 7A |
| Βάσης-εκπομπού Κορεσμός Τάσης (Max): | Single |
| Αριθμός μέρους βάσης: | LM5112 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για LM5112Q1SD/NOPB
Latest Ειδήσεις
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash