Το LD3985J28R είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την LD3985J28R, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το LD3985J28R μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε LD3985J28R με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
LD3985J28R
- Αριθμός εξαρτήματος:
- LD3985J28R
- Κατασκευαστής:
- STMicroelectronics
- Περιγραφή:
- IC REG LIN 2.8V 150MA 5FLIPCHIP
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 40847 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- LD3985J28R.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Απόκλιση τάσης (μέγιστο): | 0.1V @ 150mA |
| Τάση - Έξοδος (Min / Σταθερό): | 2.8V |
| Τάσης - εξόδου (Max): | - |
| Τάση - Εισόδου (Max): | 6V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 5-FlipChip (1.59x1.24) |
| Σειρά: | - |
| Χαρακτηριστικά προστασίας: | Over Current, Over Temperature |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 5-WFBGA, FCBGA |
| PSRR: | 60dB ~ 50dB (1kHz ~ 10kHz) |
| Τύπος εξόδου: | Fixed |
| Διαμόρφωση εξόδου: | Positive |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 125°C |
| Αριθμός των Ρυθμιστικών Αρχών: | 1 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 2.8V 150mA 5-FlipChip (1.59x1.24) |
| Τρέχουσες - Προμήθεια (Max): | 250µA |
| Τρέχουσα - Παλαιά (Iq): | 150µA |
| Τρέχουσες - εξόδου: | 150mA |
| Χαρακτηριστικά ελέγχου: | Enable |
| Αριθμός μέρους βάσης: | LD3985 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για LD3985J28R
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
LD3985G25R | STMicroelectronics | IC REG LIN 2.5V 150MA TSOT23-5 | Έρευνα |
 |
LD3985M27R | STMicroelectronics | IC REG LINEAR 2.7V 150MA SOT23-5 | Έρευνα |
|
LD3985G30R | STMicroelectronics | IC REG LINEAR 3V 150MA TSOT23-5 | Έρευνα |
|
LD3985M122R | STMicroelectronics | IC REG LIN 1.22V 150MA SOT23-5 | Έρευνα |
|
LD3985M30R | STMicroelectronics | IC REG LINEAR 3V 150MA SOT23-5 | Έρευνα |
|
LD3985G27R | STMicroelectronics | IC REG LIN 2.7V 150MA TSOT23-5 | Έρευνα |
|
LD3985G33R | STMicroelectronics | IC REG LIN 3.3V 150MA TSOT23-5 | Έρευνα |
 |
LD3985J25R | STMicroelectronics | IC REG LIN 2.5V 150MA 5FLIPCHIP | Έρευνα |
|
LD3985J33R | STMicroelectronics | IC REG LIN 3.3V 150MA 5FLIPCHIP | Έρευνα |
|
LD3985J18R | STMicroelectronics | IC REG LIN 1.8V 150MA 5FLIPCHIP | Έρευνα |
|
LD3985G18R | STMicroelectronics | IC REG LIN 1.8V 150MA TSOT23-5 | Έρευνα |
 |
LD3985J26R | STMicroelectronics | IC REG LIN 2.6V 150MA 5FLIPCHIP | Έρευνα |
|
LD3985G47R | STMicroelectronics | IC REG LIN 4.7V 150MA TSOT23-5 | Έρευνα |
|
LD3985J29R | STMicroelectronics | IC REG LIN 2.9V 150MA 5FLIPCHIP | Έρευνα |
|
LD3985M29R | STMicroelectronics | IC REG LINEAR 2.9V 150MA SOT23-5 | Έρευνα |
|
LD3985M25R | STMicroelectronics | IC REG LINEAR 2.5V 150MA SOT23-5 | Έρευνα |
|
LD3985G28R | STMicroelectronics | IC REG LIN 2.8V 150MA TSOT23-5 | Έρευνα |
|
LD3985M18R | STMicroelectronics | IC REG LINEAR 1.8V 150MA SOT23-5 | Έρευνα |
|
LD3985M33R | STMicroelectronics | IC REG LINEAR 3.3V 150MA SOT23-5 | Έρευνα |
|
LD3985M28R | STMicroelectronics | IC REG LINEAR 2.8V 150MA SOT23-5 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash