Το JANTXV1N5416US είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την JANTXV1N5416US, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το JANTXV1N5416US μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε JANTXV1N5416US με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
JANTXV1N5416US
- Αριθμός εξαρτήματος:
- JANTXV1N5416US
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 100V 3A D5B
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 46712 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- JANTXV1N5416US.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.5V @ 9A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 100V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | D-5B |
| Ταχύτητα: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-19500/411 |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 150ns |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SQ-MELF, B |
| Αλλα ονόματα: | 1086-2809 1086-2809-MIL |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | -65°C ~ 175°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 14 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Standard 100V 3A Surface Mount D-5B |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 1µA @ 100V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 3A |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για JANTXV1N5416US
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTXV1N5518BUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA | Έρευνα |
|
JANTXV1N5420US | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 3A D5B | Έρευνα |
|
JANTXV1N5312-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | Έρευνα |
 |
JANTXV1N5420 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL | Έρευνα |
 |
JANTXV1N5417 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | Έρευνα |
|
JANTXV1N5418US | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 3A D5B | Έρευνα |
 |
JANTXV1N5416 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | Έρευνα |
|
JANTXV1N5419US | Microsemi | DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF | Έρευνα |
|
JANTXV1N5419 | Microsemi | DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL | Έρευνα |
 |
JANTXV1N5418 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL | Έρευνα |
 |
JANTXV1N5313-1 | Aeroflex (MACOM Technology Solutions) | DIODE CURRENT REG 100V | Έρευνα |
|
JANTXV1N5314-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V AXIAL | Έρευνα |
|
JANTXV1N5415 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | Έρευνα |
|
JANTXV1N5313-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | Έρευνα |
 |
JANTXV1N5518B-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 | Έρευνα |
 |
JANTXV1N5312UR-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | Έρευνα |
|
JANTXV1N5415US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 3A D5B | Έρευνα |
|
JANTXV1N5313UR-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | Έρευνα |
|
JANTXV1N5417US | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 3A D5B | Έρευνα |
|
JANTXV1N5311-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών