JANTXV1N5416US ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für JANTXV1N5416US, wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für JANTXV1N5416US per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie JANTXV1N5416US mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
JANTXV1N5416US
- Artikelnummer:
- JANTXV1N5416US
- Hersteller:
- Microsemi
- Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 100V 3A D5B
- Lead Free Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- Bestandsmenge:
- 46712 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- JANTXV1N5416US.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If: | 1.5V @ 9A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max): | 100V |
| Supplier Device-Gehäuse: | D-5B |
| Geschwindigkeit: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/411 |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | 150ns |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | SQ-MELF, B |
| Andere Namen: | 1086-2809 1086-2809-MIL |
| Betriebstemperatur - Anschluss: | -65°C ~ 175°C |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 14 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Diodentyp: | Standard |
| detaillierte Beschreibung: | Diode Standard 100V 3A Surface Mount D-5B |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr: | 1µA @ 100V |
| Strom - Richt (Io): | 3A |
| Kapazität @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für JANTXV1N5416US
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTXV1N5518BUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA | Anfrage |
|
JANTXV1N5420US | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 3A D5B | Anfrage |
|
JANTXV1N5312-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | Anfrage |
 |
JANTXV1N5420 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL | Anfrage |
 |
JANTXV1N5417 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | Anfrage |
|
JANTXV1N5418US | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 3A D5B | Anfrage |
 |
JANTXV1N5416 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | Anfrage |
|
JANTXV1N5419US | Microsemi | DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF | Anfrage |
|
JANTXV1N5419 | Microsemi | DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL | Anfrage |
 |
JANTXV1N5418 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL | Anfrage |
 |
JANTXV1N5313-1 | Aeroflex (MACOM Technology Solutions) | DIODE CURRENT REG 100V | Anfrage |
|
JANTXV1N5314-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V AXIAL | Anfrage |
|
JANTXV1N5415 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | Anfrage |
|
JANTXV1N5313-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | Anfrage |
 |
JANTXV1N5518B-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 | Anfrage |
 |
JANTXV1N5312UR-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | Anfrage |
|
JANTXV1N5415US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 3A D5B | Anfrage |
|
JANTXV1N5313UR-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | Anfrage |
|
JANTXV1N5417US | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 3A D5B | Anfrage |
|
JANTXV1N5311-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V | Anfrage |
läst Nachrichten
- Verstehen Sie die Anforderungen von ADAs und Kabinenüberwachungssystemen für Netzwerksicherheitssensoren
- Es wird gemunkelt, dass Samsung und SK Hynix DDR3 gestoppt haben und das Beförderungszitat um 20 % stieg
- Melexis veröffentlicht MLX90427: Linienkontrolle für neue Auswahl, sicher, effizient und wirtschaftlich
- Der Finanzbericht von NXP und Ansonmei wird angekündigt, und der Preis für Kupferpreise wird an die IC -Industrie übertragen
- Moels Micro Electronics hat in Taiwan, China, neue Büros eingerichtet, um das Geschäftsgebiet auszubauen
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Der Finanzbericht des ersten Quartals des SEF Semiconductor (ST) nimmt ab, und die Nachfrage nach Automobilen hat sich verlangsamt
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Lokales reife Chipvolumen, Samsung Nand Flash -Speicherproduktionskapazität in der Nähe von Last
- Vishay startet eine minilierte Verpackung hoher Helligkeit kleiner blau und rein grün
- Ansonmei startete einen induktiven Positionssensor für den Industrie- und Transportmarkt
- Ruisa beginnt die alte Fabrik, um das Stromgerät zu erhöhen. Das Erdbeben beeinflusst die Dram -Output mild