Το JANTXV1N4454-1 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την JANTXV1N4454-1, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το JANTXV1N4454-1 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε JANTXV1N4454-1 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
JANTXV1N4454-1
- Αριθμός εξαρτήματος:
- JANTXV1N4454-1
- Κατασκευαστής:
- Aeroflex (MACOM Technology Solutions)
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 42008 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- JANTXV1N4454-1.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 800mV @ 10mA |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 50V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | DO-35 |
| Ταχύτητα: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-19500/144 |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 4ns |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Αλλα ονόματα: | 1657-1184 1657-1184-MIL |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | -55°C ~ 175°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Standard 50V 200mA (DC) Through Hole DO-35 |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 100µA @ 50V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 200mA (DC) |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για JANTXV1N4454-1
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTXV1N4371CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 2.7V 500MW DO213AA | Έρευνα |
 |
JANTXV1N4372A-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3V 500MW DO35 | Έρευνα |
 |
JANTXV1N4460US | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 1.5W D5A | Έρευνα |
|
JANTXV1N4372CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3V 500MW DO213AA | Έρευνα |
|
JANTXV1N4372D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3V 500MW DO35 | Έρευνα |
|
JANTXV1N4371DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 2.7V 500MW DO213AA | Έρευνα |
 |
JANTXV1N4454UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA | Έρευνα |
|
JANTXV1N4372DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3V 500MW DO213AA | Έρευνα |
|
JANTXV1N4460C | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 1.5W DO41 | Έρευνα |
|
JANTXV1N4461D | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V 1.5W DO41 | Έρευνα |
|
JANTXV1N4461 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 6.8V 1.5W DO41 | Έρευνα |
|
JANTXV1N4372AUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3V 500MW DO213AA | Έρευνα |
|
JANTXV1N4461US | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V 1.5W D5A | Έρευνα |
|
JANTXV1N4461C | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V 1.5W DO41 | Έρευνα |
|
JANTXV1N4372C-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 3V 500MW DO35 | Έρευνα |
|
JANTXV1N4460 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 6.2V 1.5W DO41 | Έρευνα |
|
JANTXV1N4460D | Microsemi | DIODE ZENER 6.2V 1.5W DO41 | Έρευνα |
|
JANTXV1N4371C-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 | Έρευνα |
|
JANTXV1N4462C | Microsemi | DIODE ZENER 7.5V 1.5W DO41 | Έρευνα |
|
JANTXV1N4371D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο