Το JANTXV1N3070UR-1 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την JANTXV1N3070UR-1, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το JANTXV1N3070UR-1 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε JANTXV1N3070UR-1 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
JANTXV1N3070UR-1
- Αριθμός εξαρτήματος:
- JANTXV1N3070UR-1
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 175V 100MA DO7
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 20970 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- JANTXV1N3070UR-1.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 100mA |
| Τάσης - Ανάλυση: | DO-7 |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-19500/169 |
| Κατάσταση RoHS: | Bulk |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Αντίσταση @ Αν, F: | - |
| Πόλωση: | DO-204AA, DO-7, Axial |
| Άλλα ονόματα: | 1086-15684 1086-15684-MIL |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | 50µs |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | JANTXV1N3070UR-1 |
| Διευρυμένη περιγραφή: | Diode Standard 175V 100mA Through Hole DO-7 |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 100nA @ 175V |
| Περιγραφή: | DIODE GEN PURP 175V 100MA DO7 |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 1V @ 100mA |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 175V |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για JANTXV1N3070UR-1
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTXV1N3045C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 110V 1W DO41 | Έρευνα |
|
JANTXV1N3318B | Microsemi | ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE | Έρευνα |
|
JANTXV1N3671AR | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA | Έρευνα |
|
JANTXV1N3595AUR-1 | Microsemi Corporation | DIODE GP 125V 150MA DO213AA | Έρευνα |
 |
JANTXV1N3045CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 110V 1W DO213AB | Έρευνα |
|
JANTXV1N3044D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 100V 1W DO41 | Έρευνα |
|
JANTXV1N3045D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 110V 1W DO41 | Έρευνα |
|
JANTXV1N3595UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE GP 125V 150MA DO213AA | Έρευνα |
|
JANTXV1N3044C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 100V 1W DO41 | Έρευνα |
|
JANTXV1N3045B-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 110V 1W DO41 | Έρευνα |
|
JANTXV1N3045BUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 110V 1W DO213AB | Έρευνα |
|
JANTXV1N3045DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 110V 1W DO213AB | Έρευνα |
|
JANTXV1N3600 | Microsemi | ZENER DIODE | Έρευνα |
|
JANTXV1N3044DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 100V 1W DO213AB | Έρευνα |
|
JANTXV1N3313B | Microsemi | ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE | Έρευνα |
|
JANTXV1N3595AUS | Microsemi | DIODE GEN PURP 125V 150MA | Έρευνα |
 |
JANTXV1N3595-1 | Microsemi | DIODE GEN PURP 125V 150MA DO204 | Έρευνα |
|
JANTXV1N3044CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 100V 1W DO213AB | Έρευνα |
|
JANTXV1N3671A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA | Έρευνα |
|
JANTXV1N3595A-1 | Microsemi | DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED