Το JANTX1N6674R είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την JANTX1N6674R, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το JANTX1N6674R μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε JANTX1N6674R με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
JANTX1N6674R
- Αριθμός εξαρτήματος:
- JANTX1N6674R
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 500V 15A D5D
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 50719 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- JANTX1N6674R.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.55V @ 20A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 500V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-254 |
| Ταχύτητα: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-19500/617 |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 35ns |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
| Αλλα ονόματα: | 1086-16029 1086-16029-MIL |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | - |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 1 Pair Common Cathode |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 500V 15A Surface Mount TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 5mA @ 400V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 15A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για JANTX1N6674R
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N6857-1 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 20V 150MA DO35 | Έρευνα |
 |
JANTX1N6660 | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA | Έρευνα |
 |
JANTX1N6844U3 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 100V 15A U3 | Έρευνα |
|
JANTX1N6660CCT1 | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA | Έρευνα |
 |
JANTX1N6843CCU3 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 100V 15A SMD | Έρευνα |
 |
JANTX1N6661US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 500MA D5A | Έρευνα |
|
JANTX1N7037CCU1 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 35A 100V SMD | Έρευνα |
|
JANTX1N6660CAT1 | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA | Έρευνα |
|
JANTX1N6864 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 80V 3A DO213AA | Έρευνα |
|
JANTX1N6677-1 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO213 | Έρευνα |
|
JANTX1N6677UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO213AA | Έρευνα |
|
JANTX1N6661 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 500MA DO35 | Έρευνα |
|
JANTX1N6662 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 500MA DO35 | Έρευνα |
 |
JANTX1N6761UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO41 | Έρευνα |
|
JANTX1N6660DT1 | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA | Έρευνα |
 |
JANTX1N6643US | Microsemi | DIODE GEN PURP 125V 300MA D5D | Έρευνα |
 |
JANTX1N6761-1 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO41 | Έρευνα |
 |
JANTX1N6663 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 500MA DO35 | Έρευνα |
|
JANTX1N6845U3 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 45V 30A DO41 | Έρευνα |
|
JANTX1N6643U | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash