Το JANTX1N6632 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την JANTX1N6632, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το JANTX1N6632 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε JANTX1N6632 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
JANTX1N6632
- Αριθμός εξαρτήματος:
- JANTX1N6632
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- DIODE ZENER 3.3V 5W AXIAL
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 23234 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- JANTX1N6632.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Zener (Nom) (Vz): | 3.3V |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.5V @ 1A |
| Ανοχή: | ±5% |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | E, Axial |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-19500/356 |
| Ισχύς - Max: | 5W |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | E, Axial |
| Αλλα ονόματα: | 1086-16006 1086-16006-MIL |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -65°C ~ 175°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Σύνθετη αντίσταση (Max) (Zzt): | 3 Ohms |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Zener Diode 3.3V 5W ±5% Through Hole E, Axial |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 300µA @ 1V |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για JANTX1N6632
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N6638U | Microsemi | DIODE GEN PURP 125V 300MA B-MELF | Έρευνα |
 |
JANTX1N6628 | Microsemi | DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL | Έρευνα |
 |
JANTX1N6638 | Microsemi | DIODE GEN PURP 125V 300MA D5B | Έρευνα |
|
JANTX1N6635US | Microsemi | DIODE ZENER 4.3V 5W D5B | Έρευνα |
|
JANTX1N6631U | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF | Έρευνα |
 |
JANTX1N6628US | Microsemi | DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B | Έρευνα |
|
JANTX1N6638US | Aeroflex (MACOM Technology Solutions) | DIODE GEN PURP 125V 300MA D-5D | Έρευνα |
|
JANTX1N6638 | Aeroflex (MACOM Technology Solutions) | DIODE GEN PURP 125V 300MA | Έρευνα |
|
JANTX1N6637 | Microsemi | DIODE ZENER 5.1V 5W AXIAL | Έρευνα |
|
JANTX1N6628U | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF | Έρευνα |
|
JANTX1N6639 | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL | Έρευνα |
 |
JANTX1N6633US | Microsemi | DIODE ZENER 3.6V 5W D5B | Έρευνα |
|
JANTX1N6631US | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B | Έρευνα |
|
JANTX1N6637US | Microsemi | DIODE ZENER 5.1V 5W D5B | Έρευνα |
|
JANTX1N6629US | Microsemi | DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B | Έρευνα |
|
JANTX1N6630US | Microsemi | DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF | Έρευνα |
|
JANTX1N6629U | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF | Έρευνα |
 |
JANTX1N6629 | Microsemi | DIODE GEN PURP 880V 1.4A | Έρευνα |
|
JANTX1N6630U | Microsemi | DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF | Έρευνα |
|
JANTX1N6639US | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 300MA D-5D | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο