Το JANTX1N6485US είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την JANTX1N6485US, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το JANTX1N6485US μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε JANTX1N6485US με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
JANTX1N6485US
- Αριθμός εξαρτήματος:
- JANTX1N6485US
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 54817 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- JANTX1N6485US.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Zener (Nom) (Vz): | 3.3V |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.5V @ 1A |
| Ανοχή: | ±5% |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | D-5A |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-19500/406 |
| Ισχύς - Max: | 1.5W |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SQ-MELF, A |
| Αλλα ονόματα: | 1086-15438 1086-15438-MIL |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -65°C ~ 175°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Σύνθετη αντίσταση (Max) (Zzt): | 10 Ohms |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Zener Diode 3.3V 1.5W ±5% Surface Mount D-5A |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 50µA @ 1V |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για JANTX1N6485US
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N6485 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A | Έρευνα |
|
JANTX1N6391 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 45V 22.5A DO203AA | Έρευνα |
|
JANTX1N647-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35 | Έρευνα |
|
JANTX1N645-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35 | Έρευνα |
|
JANTX1N6351 | Microsemi | ZENER DIODE | Έρευνα |
|
JANTX1N6490US | Microsemi | DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A | Έρευνα |
|
JANTX1N6392 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 45V 54A DO5 | Έρευνα |
|
JANTX1N6490 | Microsemi | DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A | Έρευνα |
 |
JANTX1N649-1 | Microsemi Corporation | DIODE FAST REC 600V 0.4A DO35 | Έρευνα |
 |
JANTX1N6349US | Microsemi | DIODE ZENER 110V 500MW B SQ-MELF | Έρευνα |
|
JANTX1N649UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 400MA DO213 | Έρευνα |
|
JANTX1N6489US | Microsemi | DIODE ZENER 4.7V 1.5W D5A | Έρευνα |
 |
JANTX1N6350 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 120V 500MW DO35 | Έρευνα |
|
JANTX1N6488C | Microsemi | DIODE ZENER 4.3V 1.5W D5A | Έρευνα |
|
JANTX1N6510 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 300MA DO213 | Έρευνα |
 |
JANTX1N6488US | Microsemi | DIODE ZENER 4.3V 1.5W D5A | Έρευνα |
 |
JANTX1N6511 | Microsemi | DIODE ARRAY GP 75V 300MA AXIAL | Έρευνα |
|
JANTX1N6351US | Microsemi | ZENER DIODE | Έρευνα |
|
JANTX1N6487 | Microsemi | DIODE ZENER 3.9V 1.5W D5A | Έρευνα |
|
JANTX1N645UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 400MA DO213 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο