Το JAN2N6250T1 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την JAN2N6250T1, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το JAN2N6250T1 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε JAN2N6250T1 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
JAN2N6250T1
- Αριθμός εξαρτήματος:
- JAN2N6250T1
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- TRANS NPN 275V 10A TO-3
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 45290 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- JAN2N6250T1.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 275V |
| VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic: | 1.5V @ 1.25A, 10A |
| transistor Τύπος: | NPN |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-254AA |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-19500/510 |
| Ισχύς - Max: | 6W |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
| Αλλα ονόματα: | 1086-16186 1086-16186-MIL |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Συχνότητα - Μετάβαση: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 275V 10A 6W Through Hole TO-254AA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 8 @ 10A, 3V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max): | 1mA |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 10A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για JAN2N6250T1
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN2N6298 | Microsemi | TRANS PNP DARL 60V 8A TO-66 | Έρευνα |
|
JAN2N6277 | Microsemi | TRANS NPN 150V 50A TO-3 | Έρευνα |
|
JAN2N6300 | Microsemi | TRANS NPN DARL 60V 8A TO66 | Έρευνα |
|
JAN2N5685 | Microsemi | TRANS NPN 60V 50A TO-3 | Έρευνα |
|
JAN2N6251T1 | Microsemi | TRANS NPN 350V 10A TO-3 | Έρευνα |
|
JAN2N6250 | Microsemi | TRANS NPN 275V 10A TO-3 | Έρευνα |
|
JAN2N6059 | Microsemi | TRANS NPN DARL 100V 12A TO3 | Έρευνα |
|
JAN2N6249T1 | Microsemi | TRANS NPN 200V 10A TO-3 | Έρευνα |
|
JAN2N6051 | Microsemi | TRANS PNP DARL 80V 12A TO-3 | Έρευνα |
|
JAN2N6193 | Microsemi | TRANS PNP 100V 5A TO39 | Έρευνα |
|
JAN2N6211 | Microsemi | TRANS PNP 225V 2A TO-66 | Έρευνα |
 |
JAN2N6299 | Microsemi | TRANS PNP DARL 80V 8A TO-213AA | Έρευνα |
|
JAN2N6058 | Microsemi | TRANS NPN DARL 80V 12A TO-3 | Έρευνα |
|
JAN2N6283 | Microsemi | TRANS NPN DARL 80V 20A TO-3 | Έρευνα |
|
JAN2N6284 | Microsemi | TRANS NPN DARL 100V 20A TO-3 | Έρευνα |
|
JAN2N6251 | Microsemi | TRANS NPN 350V 10A TO-3 | Έρευνα |
|
JAN2N6306 | Microsemi | TRANS NPN 250V 8A TO3 | Έρευνα |
|
JAN2N6287 | Microsemi | TRANS PNP DARL 100V 20A TO-3 | Έρευνα |
|
JAN2N6249 | Microsemi | TRANS NPN 200V 10A TO-3 | Έρευνα |
|
JAN2N6052 | Microsemi | TRANS PNP DARL 100V 12A TO-3 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική