Το JAN2N3499 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την JAN2N3499, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το JAN2N3499 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε JAN2N3499 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
JAN2N3499
- Αριθμός εξαρτήματος:
- JAN2N3499
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- TRANS NPN 100V 0.5A TO-39
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 20813 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- JAN2N3499.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 100V |
| VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic: | 600mV @ 30mA, 300mA |
| transistor Τύπος: | NPN |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-39 (TO-205AD) |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-19500/366 |
| Ισχύς - Max: | 1W |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Αλλα ονόματα: | 1086-20824 1086-20824-MIL |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 23 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Συχνότητα - Μετάβαση: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 500mA 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 150mA, 10V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max): | 10µA (ICBO) |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για JAN2N3499
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN2N3500 | Microsemi | TRANS NPN 150V 0.3A TO-39 | Έρευνα |
|
JAN2N3441 | Microsemi | TRANS NPN 140V 3A TO-66 | Έρευνα |
|
JAN2N3506 | Microsemi | TRANS NPN 40V 3A TO-39 | Έρευνα |
|
JAN2N3467L | Microsemi | TRANS PNP 40V 1A TO-3 | Έρευνα |
 |
JAN2N3501L | Microsemi | TRANS NPN 150V 0.3A | Έρευνα |
|
JAN2N3506AL | Microsemi | TRANS NPN 40V 3A TO5 | Έρευνα |
 |
JAN2N3440 | Microsemi | TRANS NPN 250V 1A | Έρευνα |
|
JAN2N3442 | Microsemi | TRANS NPN 140V 10A TO-3 | Έρευνα |
|
JAN2N3498L | Microsemi | TRANS NPN 100V 0.5A TO5 | Έρευνα |
 |
JAN2N3486A | Microsemi | TRANS PNP 60V 0.6A | Έρευνα |
 |
JAN2N3501UB | Microsemi | TRANS NPN 150V 0.3A TO39 | Έρευνα |
|
JAN2N3485A | Microsemi | TRANS PNP 60V 0.6A | Έρευνα |
|
JAN2N3506A | Microsemi | TRANS NPN 40V 3A TO-39 | Έρευνα |
|
JAN2N3440L | Microsemi | TRANS NPN 250V 1A TO5 | Έρευνα |
|
JAN2N3506L | Microsemi | TRANS NPN 40V 3A TO5 | Έρευνα |
|
JAN2N3500L | Microsemi | TRANS NPN 150V 0.3A | Έρευνα |
|
JAN2N3498 | Microsemi | TRANS NPN 100V 0.5A TO-39 | Έρευνα |
|
JAN2N3499L | Microsemi | TRANS NPN 100V 0.5A TO5 | Έρευνα |
|
JAN2N3439L | Microsemi | TRANS NPN 350V 1A | Έρευνα |
|
JAN2N3501 | Microsemi | TRANS NPN 150V 0.3A | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο