Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Δίοδοι - ΑΝΟΡΘΩΤΕΣ - Single > JAN1N5620US
JAN1N5620US
Αριθμός εξαρτήματος:
JAN1N5620US
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
DIODE GEN PURP 800V 1A D5A
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
Ποσότητα αποθέματος:
38920 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
JAN1N5620US.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το JAN1N5620US είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την JAN1N5620US, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το JAN1N5620US μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε JAN1N5620US με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν:1.3V @ 3A
Τάσης - DC Reverse (VR) (Max):800V
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:D-5A
Ταχύτητα:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Σειρά:Military, MIL-PRF-19500/427
Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR):2µs
Συσκευασία:Bulk
Συσκευασία / υπόθεση:SQ-MELF, A
Αλλα ονόματα:1086-19424
1086-19424-MIL
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση:-65°C ~ 200°C
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:8 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Diode Τύπος:Standard
Λεπτομερής περιγραφή:Diode Standard 800V 1A Surface Mount D-5A
Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr:500nA @ 800V
Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io):1A
Χωρητικότητα @ VR, F:-
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για JAN1N5620US

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
JAN1N5616 Image JAN1N5616 Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Έρευνα
JAN1N5618 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL Έρευνα
JAN1N5711-1 Image JAN1N5711-1 Microsemi DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35 Έρευνα
JAN1N5802URS Microsemi DIODE GEN PURP 50V 1A APKG Έρευνα
JAN1N5622 Image JAN1N5622 Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL Έρευνα
JAN1N5623US Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A Έρευνα
JAN1N5618US Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1A D5A Έρευνα
JAN1N5623 Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL Έρευνα
JAN1N5619US Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1A D5A Έρευνα
JAN1N5617 Image JAN1N5617 Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Έρευνα
JAN1N5619 Image JAN1N5619 Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL Έρευνα
JAN1N5802 Microsemi DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL Έρευνα
JAN1N5620 Image JAN1N5620 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL Έρευνα
JAN1N5616US Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A D5A Έρευνα
JAN1N5621 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL Έρευνα
JAN1N5711UR-1 Image JAN1N5711UR-1 Microsemi DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA Έρευνα
JAN1N5615US Image JAN1N5615US Microsemi DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A Έρευνα
JAN1N5621US Microsemi DIODE GEN PURP 800V 1A D5A Έρευνα
JAN1N5622US Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A Έρευνα
JAN1N5617US Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A D5A Έρευνα

Latest Ειδήσεις