Το JAN1N5615 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την JAN1N5615, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το JAN1N5615 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε JAN1N5615 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
JAN1N5615
- Αριθμός εξαρτήματος:
- JAN1N5615
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 55268 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- JAN1N5615.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1A |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-19500/429 |
| Κατάσταση RoHS: | Bulk |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Αντίσταση @ Αν, F: | - |
| Πόλωση: | A, Axial |
| Άλλα ονόματα: | 1086-2103 1086-2103-MIL |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | 150ns |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 8 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | JAN1N5615 |
| Διευρυμένη περιγραφή: | Diode Standard 200V 1A Through Hole |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 500nA @ 200V |
| Περιγραφή: | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 1.6V @ 3A |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 200V |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για JAN1N5615
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N5614US | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 1A D5A | Έρευνα |
 |
JAN1N5618 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
JAN1N5618US | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1A D5A | Έρευνα |
 |
JAN1N5552US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF | Έρευνα |
 |
JAN1N5615US | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A | Έρευνα |
 |
JAN1N5616 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | Έρευνα |
 |
JAN1N5551 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL | Έρευνα |
|
JAN1N5554 | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL | Έρευνα |
|
JAN1N5616US | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 1A D5A | Έρευνα |
|
JAN1N5551US | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF | Έρευνα |
 |
JAN1N5619 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
JAN1N5619US | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1A D5A | Έρευνα |
|
JAN1N5617US | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 1A D5A | Έρευνα |
|
JAN1N5552 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL | Έρευνα |
 |
JAN1N5554US | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B | Έρευνα |
|
JAN1N5553 | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL | Έρευνα |
 |
JAN1N5620 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL | Έρευνα |
 |
JAN1N5614 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Έρευνα |
 |
JAN1N5617 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
JAN1N5553US | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED