Το JAN1N4148-1 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την JAN1N4148-1, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το JAN1N4148-1 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε JAN1N4148-1 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
JAN1N4148-1
- Αριθμός εξαρτήματος:
- JAN1N4148-1
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 50135 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- JAN1N4148-1.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.2V @ 100mA |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 75V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | DO-35 |
| Ταχύτητα: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-19500/116 |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 20ns |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Αλλα ονόματα: | 1086-15168 1086-15168-MIL |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | -65°C ~ 175°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 8 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Standard 75V 200mA Through Hole DO-35 |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 500nA @ 75V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 200mA |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | 4pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για JAN1N4148-1
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N4148UR-1 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO213 | Έρευνα |
 |
JAN1N4134DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 91V DO213AA | Έρευνα |
 |
JAN1N4148UBCC | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 200MA SMD | Έρευνα |
|
JAN1N4134CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 91V DO213AA | Έρευνα |
 |
JAN1N4135C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 100V DO35 | Έρευνα |
|
JAN1N4134C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 91V DO35 | Έρευνα |
|
JAN1N4148UB2 | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 200MA SMD | Έρευνα |
|
JAN1N4134UR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 91V DO213AA | Έρευνα |
|
JAN1N4135DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 100V DO213AA | Έρευνα |
|
JAN1N4135CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 100V DO213AA | Έρευνα |
 |
JAN1N4150-1 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 | Έρευνα |
|
JAN1N4148UB2R | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 200MA SMD | Έρευνα |
|
JAN1N4148UBCA | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 200MA SMD | Έρευνα |
|
JAN1N4135-1 | Microsemi | DIODE ZENER 100V DO35 | Έρευνα |
|
JAN1N4150UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA | Έρευνα |
|
JAN1N4134D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 91V DO35 | Έρευνα |
|
JAN1N4135D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 100V DO35 | Έρευνα |
 |
JAN1N4153-1 | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35 | Έρευνα |
|
JAN1N4148UB | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 200MA UB | Έρευνα |
|
JAN1N4148UBD | Microsemi | DIODE GEN PURP 75V 200MA SMD | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο