Το JAN1N3644 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την JAN1N3644, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το JAN1N3644 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε JAN1N3644 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
JAN1N3644
- Αριθμός εξαρτήματος:
- JAN1N3644
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 1.5KV 250MA AXIAL
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 37924 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- JAN1N3644.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Peak Reverse (Max): | Standard |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 250mA |
| Τάσης - Ανάλυση: | S, Axial |
| Σειρά: | Military, MIL-PRF-19500/279 |
| Κατάσταση RoHS: | Bulk |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Αντίσταση @ Αν, F: | - |
| Πόλωση: | S, Axial |
| Άλλα ονόματα: | 1086-16798 1086-16798-MIL |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 8 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | JAN1N3644 |
| Διευρυμένη περιγραφή: | Diode Standard 1500V (1.5kV) 250mA Through Hole S, Axial |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 5µA @ 1500V |
| Περιγραφή: | DIODE GEN PURP 1.5KV 250MA AXIAL |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 5V @ 250mA |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 1500V (1.5kV) |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για JAN1N3644
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N3614 | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL | Έρευνα |
 |
JAN1N3647 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL | Έρευνα |
|
JAN1N3600 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7 | Έρευνα |
|
JAN1N3766R | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB | Έρευνα |
|
JAN1N3595AUS | Microsemi | DIODE GEN PURP 125V 150MA | Έρευνα |
|
JAN1N3766 | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB | Έρευνα |
|
JAN1N3673A | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA | Έρευνα |
 |
JAN1N3613 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
JAN1N3671R | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA | Έρευνα |
|
JAN1N3595UR-1 | Microsemi | DIODE GP 125V 150MA DO213AA | Έρευνα |
|
JAN1N3673AR | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA | Έρευνα |
 |
JAN1N3595-1 | Microsemi Corporation | DIODE SW 125V 150MA DO35 | Έρευνα |
|
JAN1N3595AUR-1 | Microsemi | DIODE GP 125V 150MA DO213AA | Έρευνα |
|
JAN1N3671AR | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA | Έρευνα |
 |
JAN1N3611 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
JAN1N3595A-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35 | Έρευνα |
|
JAN1N3646 | Microsemi | DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL | Έρευνα |
|
JAN1N3671A | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA | Έρευνα |
 |
JAN1N3612 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | Έρευνα |
|
JAN1N3645 | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash