Το IXTY1R4N120P είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXTY1R4N120P, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXTY1R4N120P μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXTY1R4N120P με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
IXTY1R4N120P
- Αριθμός εξαρτήματος:
- IXTY1R4N120P
- Κατασκευαστής:
- IXYS Corporation
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 26247 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- IXTY1R4N120P.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 100µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-252, (D-Pak) |
| Σειρά: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | - |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | - |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 24 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 1200V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 1200V 1.4A (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 1.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για IXTY1R4N120P
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTY1R4N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK | Έρευνα |
|
IXTY26P10T | IXYS Corporation | MOSFET P-CH 100V 26A TO-252 | Έρευνα |
|
IXTY1R4N120PHV | IXYS Corporation | MOSFET N-CH | Έρευνα |
|
IXTY1R4N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252 | Έρευνα |
|
IXTY2N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 2A D-PAK | Έρευνα |
|
IXTY1R6N50D2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK | Έρευνα |
|
IXTY1N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252 | Έρευνα |
|
IXTY1R4N60P TRL | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK | Έρευνα |
|
IXTY2N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252 | Έρευνα |
|
IXTY1N80 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA | Έρευνα |
|
IXTY1N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252 | Έρευνα |
|
IXTY12N06TTRL | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 | Έρευνα |
|
IXTY18P10T | IXYS Corporation | MOSFET P-CH 100V 18A TO-252 | Έρευνα |
|
IXTY24N15T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 24A TO-252 | Έρευνα |
|
IXTY1R6N50P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK | Έρευνα |
|
IXTY15N20T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 15A TO-252 | Έρευνα |
|
IXTY1R6N100D2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK | Έρευνα |
|
IXTY12N06T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 | Έρευνα |
|
IXTY1N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 1A TO-252 | Έρευνα |
|
IXTY15P15T | IXYS Corporation | MOSFET P-CH 150V 15A TO-252 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας