Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXTQ82N25P
IXTQ82N25P
IXTQ82N25P
Αριθμός εξαρτήματος:
IXTQ82N25P
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 250V 82A TO-3P
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
38855 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXTQ82N25P.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IXTQ82N25P είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXTQ82N25P, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXTQ82N25P μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXTQ82N25P με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-3P
Σειρά:PolarHT™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:35 mOhm @ 41A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):500W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-3P-3, SC-65-3
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:24 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:4800pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:142nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):250V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 250V 82A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3P
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:82A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXTQ82N25P

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXTQ69N30P Image IXTQ69N30P IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 69A TO-3P Έρευνα
IXTQ96N15P Image IXTQ96N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 96A TO-3P Έρευνα
IXTR102N65X2 Image IXTR102N65X2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247 Έρευνα
IXTQ74N15T Image IXTQ74N15T IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 74A TO-3P Έρευνα
IXTQ76N25T Image IXTQ76N25T IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 76A TO-3P Έρευνα
IXTQ74N20P Image IXTQ74N20P IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 74A TO-3P Έρευνα
IXTQ75N10P Image IXTQ75N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 75A TO-3P Έρευνα
IXTQ90N15T Image IXTQ90N15T IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P Έρευνα
IXTQ80N28T Image IXTQ80N28T IXYS Corporation MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P Έρευνα
IXTQ88N30P Image IXTQ88N30P IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 88A TO-3P Έρευνα
IXTQ72N20T Image IXTQ72N20T IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 72A TO-3P Έρευνα
IXTQ72N30T Image IXTQ72N30T IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 72A TO-3P Έρευνα
IXTQ88N15 Image IXTQ88N15 IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 88A TO-3P Έρευνα
IXTQ98N20T Image IXTQ98N20T IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 98A TO-3P Έρευνα
IXTQ86N20T Image IXTQ86N20T IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P Έρευνα
IXTR120P20T Image IXTR120P20T IXYS Corporation MOSFET P-CH 200V 90A ISOPLUS247 Έρευνα
IXTQ96N25T Image IXTQ96N25T IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 96A TO-3P Έρευνα
IXTQ62N25T Image IXTQ62N25T IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 62A TO-3P Έρευνα
IXTQ64N25P Image IXTQ64N25P IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 64A TO-3P Έρευνα
IXTQ96N20P Image IXTQ96N20P IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 96A TO-3P Έρευνα

Latest Ειδήσεις