Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXTP8N70X2M
IXTP8N70X2M
IXTP8N70X2M
Αριθμός εξαρτήματος:
IXTP8N70X2M
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO220
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
29015 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXTP8N70X2M.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IXTP8N70X2M είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXTP8N70X2M, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXTP8N70X2M μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXTP8N70X2M με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-220 Isolated Tab
Σειρά:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:550 mOhm @ 500mA, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):32W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:24 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:800pF @ 10V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:12nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):700V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 700V 4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXTP8N70X2M

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXTP90N075T2 Image IXTP90N075T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 75V 90A TO-220 Έρευνα
IXTQ102N15T Image IXTQ102N15T IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 102A TO-3P Έρευνα
IXTP90N055T2 Image IXTP90N055T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 90A TO-220 Έρευνα
IXTP96P085T Image IXTP96P085T IXYS Corporation MOSFET P-CH 85V 96A TO-220 Έρευνα
IXTP8N70X2 Image IXTP8N70X2 IXYS Corporation MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO220 Έρευνα
IXTP7N60PM Image IXTP7N60PM IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 4A TO-220 Έρευνα
IXTP8N65X2M Image IXTP8N65X2M IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220 Έρευνα
IXTP98N075T Image IXTP98N075T IXYS Corporation MOSFET N-CH 75V 98A TO-220 Έρευνα
IXTP8N50P Image IXTP8N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 Έρευνα
IXTQ102N20T Image IXTQ102N20T IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 102A TO3P Έρευνα
IXTP90N055T Image IXTP90N055T IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 90A TO-220 Έρευνα
IXTQ102N25T Image IXTQ102N25T IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 102A TO-3P Έρευνα
IXTP80N10T Image IXTP80N10T IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 Έρευνα
IXTP8N65X2 Image IXTP8N65X2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-220 Έρευνα
IXTQ100N25P Image IXTQ100N25P IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P Έρευνα
IXTP90N15T Image IXTP90N15T IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 90A TO-220 Έρευνα
IXTP8N50PM Image IXTP8N50PM IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 Έρευνα
IXTP86N20T Image IXTP86N20T IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 86A TO-220 Έρευνα
IXTP88N085T Image IXTP88N085T IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 88A TO-220 Έρευνα
IXTP80N075L2 Image IXTP80N075L2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 Έρευνα

Latest Ειδήσεις