Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXTP10P15T
IXTP10P15T
IXTP10P15T
Αριθμός εξαρτήματος:
IXTP10P15T
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 150V 10A TO-220
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
49305 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXTP10P15T.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IXTP10P15T είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXTP10P15T, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXTP10P15T μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXTP10P15T με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±15V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-220AB
Σειρά:TrenchP™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:350 mOhm @ 5A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):83W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-220-3
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:24 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:2210pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:36nC @ 10V
FET Τύπος:P-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):150V
Λεπτομερής περιγραφή:P-Channel 150V 10A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220AB
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXTP10P15T

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXTP110N055T2 Image IXTP110N055T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 110A TO-220 Έρευνα
IXTP120P065T Image IXTP120P065T IXYS Corporation MOSFET P-CH 65V 120A TO-220 Έρευνα
IXTP12N50P Image IXTP12N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 12A TO-220 Έρευνα
IXTP10N60P Image IXTP10N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 Έρευνα
IXTP120N075T2 Image IXTP120N075T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 75V 120A TO-220 Έρευνα
IXTP08N50D2 Image IXTP08N50D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB Έρευνα
IXTP110N055T Image IXTP110N055T IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 110A TO-220 Έρευνα
IXTP110N12T2 Image IXTP110N12T2 IXYS Corporation 120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET Έρευνα
IXTP10P50P Image IXTP10P50P IXYS Corporation MOSFET P-CH 500V 10A TO-220 Έρευνα
IXTP100N04T2 Image IXTP100N04T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 Έρευνα
IXTP05N100P Image IXTP05N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263 Έρευνα
IXTP10N60PM Image IXTP10N60PM IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 5A TO-220 Έρευνα
IXTP08N120P Image IXTP08N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220 Έρευνα
IXTP120N04T2 Image IXTP120N04T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 Έρευνα
IXTP08N100D2 Image IXTP08N100D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB Έρευνα
IXTP06N120P Image IXTP06N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220 Έρευνα
IXTP110N055P Image IXTP110N055P IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 110A TO-220 Έρευνα
IXTP102N15T Image IXTP102N15T IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 102A TO-220 Έρευνα
IXTP12N50PM Image IXTP12N50PM IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 6A TO-220 Έρευνα
IXTP08N100P Image IXTP08N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220 Έρευνα

Latest Ειδήσεις