Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXTA50N25T
IXTA50N25T
IXTA50N25T
Αριθμός εξαρτήματος:
IXTA50N25T
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 250V 50A TO-263
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
45534 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXTA50N25T.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IXTA50N25T είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXTA50N25T, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXTA50N25T μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXTA50N25T με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-263 (IXTA)
Σειρά:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:50 mOhm @ 25A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):400W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:24 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:4000pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:78nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):250V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 250V 50A (Tc) 400W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXTA50N25T

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXTA4N65X2 Image IXTA4N65X2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-263 Έρευνα
IXTA5N50P Image IXTA5N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 4.8A D2PAK Έρευνα
IXTA56N15T Image IXTA56N15T IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 56A TO-263 Έρευνα
IXTA54N30T Image IXTA54N30T IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 54A TO-263 Έρευνα
IXTA4N80P Image IXTA4N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263 Έρευνα
IXTA50N20P Image IXTA50N20P IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 50A TO-263 Έρευνα
IXTA48P05T Image IXTA48P05T IXYS Corporation MOSFET P-CH 50V 48A TO-263 Έρευνα
IXTA4N150HV Image IXTA4N150HV IXYS Corporation MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO263 Έρευνα
IXTA64N10L2 Image IXTA64N10L2 IXYS Corporation N-CHANNEL: LINEAR POWER MOSFETS Έρευνα
IXTA44P15T Image IXTA44P15T IXYS Corporation MOSFET P-CH 150V 44A TO-263 Έρευνα
IXTA52P10P Image IXTA52P10P IXYS Corporation MOSFET P-CH 100V 52A TO-263 Έρευνα
IXTA48N20T Image IXTA48N20T IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 48A TO-263 Έρευνα
IXTA62N25T Image IXTA62N25T IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 62A TO-263 Έρευνα
IXTA4N60P Image IXTA4N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 4A D2-PAK Έρευνα
IXTA460P2 Image IXTA460P2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 24A TO-263 Έρευνα
IXTA44P15TTRL Image IXTA44P15TTRL IXYS Corporation MOSFET P-CH 150V 44A TO-263 Έρευνα
IXTA5N60P Image IXTA5N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 5A D2-PAK Έρευνα
IXTA62N15P Image IXTA62N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 62A TO-263 Έρευνα
IXTA60N10T Image IXTA60N10T IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 60A TO-263 Έρευνα
IXTA60N20T Image IXTA60N20T IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 60A TO-263 Έρευνα

Latest Ειδήσεις