Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXTA3N50P
IXTA3N50P
IXTA3N50P
Αριθμός εξαρτήματος:
IXTA3N50P
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 500V 3.6A D2PAK
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
53683 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXTA3N50P.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IXTA3N50P είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXTA3N50P, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXTA3N50P μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXTA3N50P με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5.5V @ 50µA
Vgs (Max):±30V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-263 (IXTA)
Σειρά:PolarHV™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2 Ohm @ 1.8A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):70W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:409pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:9.3nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):500V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 500V 3.6A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:3.6A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXTA3N50P

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXTA3N100D2 Image IXTA3N100D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK Έρευνα
IXTA4N150HV Image IXTA4N150HV IXYS Corporation MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO263 Έρευνα
IXTA48N20T Image IXTA48N20T IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 48A TO-263 Έρευνα
IXTA3N120 Image IXTA3N120 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-263 Έρευνα
IXTA44N30T Image IXTA44N30T IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 44A TO-263 Έρευνα
IXTA42N25P Image IXTA42N25P IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 42A TO-263 Έρευνα
IXTA44P15TTRL Image IXTA44P15TTRL IXYS Corporation MOSFET P-CH 150V 44A TO-263 Έρευνα
IXTA38N15T Image IXTA38N15T IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 38A TO-263 Έρευνα
IXTA3N100P Image IXTA3N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263 Έρευνα
IXTA3N150HV Image IXTA3N150HV IXYS Corporation MOSFET N-CH 1500V 3A TO-263 Έρευνα
IXTA3N100D2HV Image IXTA3N100D2HV IXYS Corporation MOSFET N-CH Έρευνα
IXTA44P15T Image IXTA44P15T IXYS Corporation MOSFET P-CH 150V 44A TO-263 Έρευνα
IXTA460P2 Image IXTA460P2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 24A TO-263 Έρευνα
IXTA48P05T Image IXTA48P05T IXYS Corporation MOSFET P-CH 50V 48A TO-263 Έρευνα
IXTA3N120TRL Image IXTA3N120TRL IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 Έρευνα
IXTA3N120HV Image IXTA3N120HV IXYS Corporation MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO263 Έρευνα
IXTA3N110 Image IXTA3N110 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263 Έρευνα
IXTA44N25T Image IXTA44N25T IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 44A TO-263 Έρευνα
IXTA3N60P Image IXTA3N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 3A D2-PAK Έρευνα
IXTA3N50D2 Image IXTA3N50D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 3A D2PAK Έρευνα

Latest Ειδήσεις