Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXFX24N100Q3
IXFX24N100Q3
IXFX24N100Q3
Αριθμός εξαρτήματος:
IXFX24N100Q3
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
44350 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXFX24N100Q3.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IXFX24N100Q3 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXFX24N100Q3, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXFX24N100Q3 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXFX24N100Q3 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:6.5V @ 4mA
Vgs (Max):±30V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:PLUS247™-3
Σειρά:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:440 mOhm @ 12A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):1000W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-247-3
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:24 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:7200pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:140nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):1000V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 1000V 24A (Tc) 1000W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:24A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXFX24N100Q3

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXFX21N100Q Image IXFX21N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247 Έρευνα
IXFX24N100F Image IXFX24N100F IXYS RF MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3 Έρευνα
IXFX26N100P Image IXFX26N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247 Έρευνα
IXFX210N30X3 Image IXFX210N30X3 IXYS Corporation 300V/210A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Έρευνα
IXFX300N20X3 Image IXFX300N20X3 IXYS Corporation 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Έρευνα
IXFX24N90Q Image IXFX24N90Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 24A PLUS 247 Έρευνα
IXFX27N80Q Image IXFX27N80Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 27A PLUS 247 Έρευνα
IXFX240N25X3 Image IXFX240N25X3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 240A PLUS247-3 Έρευνα
IXFX26N120P Image IXFX26N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247 Έρευνα
IXFX260N17T Image IXFX260N17T IXYS Corporation MOSFET N-CH 170V 260A PLUS247 Έρευνα
IXFX24N100 Image IXFX24N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247 Έρευνα
IXFX230N20T Image IXFX230N20T IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247 Έρευνα
IXFX26N90 Image IXFX26N90 IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 26A PLUS 247 Έρευνα
IXFX220N17T2 Image IXFX220N17T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247 Έρευνα
IXFX21N100F Image IXFX21N100F IXYS RF MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3 Έρευνα
IXFX250N10P Image IXFX250N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 250A PLUS247 Έρευνα
IXFX25N90 Image IXFX25N90 IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 25A PLUS247 Έρευνα
IXFX240N15T2 Image IXFX240N15T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 240A PLUS247 Έρευνα
IXFX210N17T Image IXFX210N17T IXYS Corporation MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247 Έρευνα
IXFX26N60Q Image IXFX26N60Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 26A PLUS 247 Έρευνα

Latest Ειδήσεις