Το IXFX20N120 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXFX20N120, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXFX20N120 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXFX20N120 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
IXFX20N120
- Αριθμός εξαρτήματος:
- IXFX20N120
- Κατασκευαστής:
- IXYS Corporation
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 45531 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- IXFX20N120.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 8mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | PLUS247™-3 |
| Σειρά: | HiPerFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 750 mOhm @ 500mA, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 780W (Tc) |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-247-3 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 7400pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 160nC @ 10V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 1200V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 1200V 20A (Tc) 780W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για IXFX20N120
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFX170N20T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247 | Έρευνα |
|
IXFX240N15T2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 240A PLUS247 | Έρευνα |
|
IXFX160N30T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247 | Έρευνα |
|
IXFX180N25T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247 | Έρευνα |
|
IXFX180N10 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247 | Έρευνα |
|
IXFX210N17T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247 | Έρευνα |
|
IXFX180N085 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 85V 180A PLUS247 | Έρευνα |
|
IXFX21N100Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247 | Έρευνα |
|
IXFX180N07 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 70V 180A PLUS247 | Έρευνα |
|
IXFX230N20T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247 | Έρευνα |
 |
IXFX210N30X3 | IXYS Corporation | 300V/210A ULTRA JUNCTION X3-CLAS | Έρευνα |
|
IXFX21N100F | IXYS RF | MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3 | Έρευνα |
|
IXFX200N10P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247 | Έρευνα |
|
IXFX220N17T2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247 | Έρευνα |
|
IXFX15N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1KV 15A PLUS247 | Έρευνα |
|
IXFX20N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247 | Έρευνα |
 |
IXFX20N80Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 20A PLUS247-3 | Έρευνα |
|
IXFX170N20P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247 | Έρευνα |
|
IXFX240N25X3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 240A PLUS247-3 | Έρευνα |
|
IXFX180N15P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 180A PLUS 247 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC