Το IXFV16N80PS είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXFV16N80PS, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXFV16N80PS μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXFV16N80PS με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
IXFV16N80PS
- Αριθμός εξαρτήματος:
- IXFV16N80PS
- Κατασκευαστής:
- IXYS Corporation
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220-S
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 38447 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- IXFV16N80PS.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 4mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | PLUS-220SMD |
| Σειρά: | HiPerFET™, PolarHT™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 600 mOhm @ 500mA, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 460W (Tc) |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | PLUS-220SMD |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 4600pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 71nC @ 10V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 800V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 800V 16A (Tc) 460W (Tc) Surface Mount PLUS-220SMD |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για IXFV16N80PS
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFV15N100PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220SMD | Έρευνα |
|
IXFV20N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220 | Έρευνα |
|
IXFV22N50PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD | Έρευνα |
|
IXFV18N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220 | Έρευνα |
 |
IXFV18N90PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220SMD | Έρευνα |
|
IXFV12N90PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220SMD | Έρευνα |
 |
IXFV12N90P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220 | Έρευνα |
|
IXFV15N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220 | Έρευνα |
 |
IXFV22N50P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220 | Έρευνα |
|
IXFV14N80PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220-S | Έρευνα |
 |
IXFV22N60PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220-SMD | Έρευνα |
|
IXFV16N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220 | Έρευνα |
|
IXFV12N120PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD | Έρευνα |
|
IXFV18N60PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD | Έρευνα |
|
IXFV12N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220 | Έρευνα |
|
IXFV20N80PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220SMD | Έρευνα |
 |
IXFV22N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220 | Έρευνα |
|
IXFV12N80PS | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220-S | Έρευνα |
 |
IXFV18N90P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220 | Έρευνα |
|
IXFV14N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί