Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXFT24N80P
IXFT24N80P
IXFT24N80P
Αριθμός εξαρτήματος:
IXFT24N80P
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 800V 24A TO-268
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
38000 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXFT24N80P.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IXFT24N80P είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXFT24N80P, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXFT24N80P μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXFT24N80P με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 4mA
Vgs (Max):±30V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-268
Σειρά:HiPerFET™, PolarHT™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:400 mOhm @ 12A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):650W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:24 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:7200pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:105nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):800V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 800V 24A (Tc) 650W (Tc) Surface Mount TO-268
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:24A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXFT24N80P

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXFT30N50Q Image IXFT30N50Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 Έρευνα
IXFT28N50Q Image IXFT28N50Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 28A TO-268(D3) Έρευνα
IXFT220N20X3HV Image IXFT220N20X3HV IXYS Corporation 200V/220A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Έρευνα
IXFT26N50Q TR IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 26A TO268 Έρευνα
IXFT20N80P Image IXFT20N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 20A TO-268 Έρευνα
IXFT20N80Q Image IXFT20N80Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 20A TO-268 Έρευνα
IXFT30N50 Image IXFT30N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 Έρευνα
IXFT26N50Q Image IXFT26N50Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 26A TO-268 Έρευνα
IXFT26N60Q Image IXFT26N60Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 Έρευνα
IXFT23N60Q Image IXFT23N60Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3) Έρευνα
IXFT26N60P Image IXFT26N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3 Έρευνα
IXFT24N50 Image IXFT24N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 24A TO-268 Έρευνα
IXFT30N50P Image IXFT30N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3 Έρευνα
IXFT20N100P Image IXFT20N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268 Έρευνα
IXFT23N80Q Image IXFT23N80Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3) Έρευνα
IXFT20N60Q Image IXFT20N60Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 20A TO-268 Έρευνα
IXFT26N50 Image IXFT26N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 26A TO-268 Έρευνα
IXFT21N50Q Image IXFT21N50Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 21A TO-268 Έρευνα
IXFT24N90P Image IXFT24N90P IXYS Corporation MOSFET N-CH TO-268 Έρευνα
IXFT24N50Q Image IXFT24N50Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 24A TO-268 Έρευνα

Latest Ειδήσεις