Το IXFR32N80P είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXFR32N80P, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXFR32N80P μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXFR32N80P με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
IXFR32N80P
- Αριθμός εξαρτήματος:
- IXFR32N80P
- Κατασκευαστής:
- IXYS Corporation
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 27569 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- IXFR32N80P.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 8mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | ISOPLUS247™ |
| Σειρά: | HiPerFET™, PolarHT™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 290 mOhm @ 16A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 300W (Tc) |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | ISOPLUS247™ |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 26 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 8800pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 150nC @ 10V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 800V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 800V 20A (Tc) 300W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™ |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για IXFR32N80P
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFR30N110P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247 | Έρευνα |
|
IXFR30N50Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247 | Έρευνα |
|
IXFR27N80Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 27A ISOPLUS247 | Έρευνα |
|
IXFR36N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247 | Έρευνα |
|
IXFR30N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS247 | Έρευνα |
|
IXFR44N50Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 34A ISOPLUS247 | Έρευνα |
|
IXFR38N80Q2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247 | Έρευνα |
|
IXFR34N80 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247 | Έρευνα |
|
IXFR44N50P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247 | Έρευνα |
|
IXFR32N80Q3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 24A ISOPLUS247 | Έρευνα |
|
IXFR32N100Q3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247 | Έρευνα |
|
IXFR36N50P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247 | Έρευνα |
|
IXFR32N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 | Έρευνα |
|
IXFR40N90P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH ISOPLUS247 | Έρευνα |
|
IXFR26N60Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS247 | Έρευνα |
 |
IXFR32N50 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH ISOPLUS247 | Έρευνα |
|
IXFR32N50Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247 | Έρευνα |
|
IXFR44N50Q3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 25A ISOPLUS247 | Έρευνα |
|
IXFR26N50Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247 | Έρευνα |
|
IXFR40N50Q2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 29A ISOPLUS247 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας