Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXFP12N50PM
IXFP12N50PM
IXFP12N50PM
Αριθμός εξαρτήματος:
IXFP12N50PM
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 500V 6A TO-220
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
48050 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXFP12N50PM.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IXFP12N50PM είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXFP12N50PM, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXFP12N50PM μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXFP12N50PM με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5.5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-220AB
Σειρά:HiPerFET™, PolarP2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:500 mOhm @ 6A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):50W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-220-3
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:1830pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:29nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):500V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 500V 6A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXFP12N50PM

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXFP12N50P Image IXFP12N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 12A TO-220 Έρευνα
IXFN90N30 Image IXFN90N30 IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B Έρευνα
IXFP14N60P3 Image IXFP14N60P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 14A TO-220AB Έρευνα
IXFP12N65X2 Image IXFP12N65X2 IXYS Corporation MOSFET N-CH Έρευνα
IXFP130N10T Image IXFP130N10T IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 130A TO-220 Έρευνα
IXFP14N85XM Image IXFP14N85XM IXYS Corporation MOSFET N-CHANNEL 850V 14A TO220 Έρευνα
IXFP14N85X Image IXFP14N85X IXYS Corporation MOSFET N-CH 850V 14A TO220AB Έρευνα
IXFN90N85X Image IXFN90N85X IXYS Corporation 850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P Έρευνα
IXFP130N15X3 Image IXFP130N15X3 IXYS Corporation MOSFET N-CH Έρευνα
IXFP10N60P Image IXFP10N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 Έρευνα
IXFP16N50P3 Image IXFP16N50P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 16A TO-220 Έρευνα
IXFN82N60Q3 Image IXFN82N60Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227 Έρευνα
IXFP16N50P Image IXFP16N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 16A TO-220 Έρευνα
IXFP110N15T2 Image IXFP110N15T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 110A TO-220 Έρευνα
IXFP14N60P Image IXFP14N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 14A TO-220 Έρευνα
IXFP10N80P Image IXFP10N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 10A TO-220 Έρευνα
IXFP102N15T Image IXFP102N15T IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 102A TO-220 Έρευνα
IXFN94N50P2 Image IXFN94N50P2 IXYS Corporation 500V POLAR2 HIPERFETS Έρευνα
IXFP130N10T2 Image IXFP130N10T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 130A TO-220 Έρευνα
IXFN82N60P Image IXFN82N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B Έρευνα

Latest Ειδήσεις