IXFP12N50PM متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXFP12N50PM، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXFP12N50PM عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXFP12N50PM مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IXFP12N50PM
- رقم القطعة:
- IXFP12N50PM
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 500V 6A TO-220
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 48050 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IXFP12N50PM.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5.5V @ 1mA |
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | HiPerFET™, PolarP2™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 500 mOhm @ 6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 50W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1830pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 29nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 500V 6A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFP12N50PM
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFP12N50P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220 | تحقيق |
 |
IXFN90N30 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B | تحقيق |
|
IXFP14N60P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 14A TO-220AB | تحقيق |
|
IXFP12N65X2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH | تحقيق |
|
IXFP130N10T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 130A TO-220 | تحقيق |
 |
IXFP14N85XM | IXYS Corporation | MOSFET N-CHANNEL 850V 14A TO220 | تحقيق |
 |
IXFP14N85X | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 850V 14A TO220AB | تحقيق |
|
IXFN90N85X | IXYS Corporation | 850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P | تحقيق |
|
IXFP130N15X3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH | تحقيق |
|
IXFP10N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | تحقيق |
|
IXFP16N50P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 16A TO-220 | تحقيق |
|
IXFN82N60Q3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227 | تحقيق |
|
IXFP16N50P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 16A TO-220 | تحقيق |
|
IXFP110N15T2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 110A TO-220 | تحقيق |
|
IXFP14N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 14A TO-220 | تحقيق |
|
IXFP10N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 10A TO-220 | تحقيق |
|
IXFP102N15T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 102A TO-220 | تحقيق |
|
IXFN94N50P2 | IXYS Corporation | 500V POLAR2 HIPERFETS | تحقيق |
|
IXFP130N10T2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 130A TO-220 | تحقيق |
|
IXFN82N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B | تحقيق |
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل