Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXFN200N10P
IXFN200N10P
IXFN200N10P
Αριθμός εξαρτήματος:
IXFN200N10P
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
54280 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXFN200N10P.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IXFN200N10P είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXFN200N10P, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXFN200N10P μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXFN200N10P με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Τάσης - Test:7600pF @ 25V
Τάσης - Ανάλυση:SOT-227B
Vgs (th) (Max) @ Id:7.5 mOhm @ 500mA, 10V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Σειρά:Polar™
Κατάσταση RoHS:Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs:200A
Πόλωση:SOT-227-4, miniBLOC
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Chassis Mount
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:8 Weeks
Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή:IXFN200N10P
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:235nC @ 10V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:5V @ 8mA
FET Χαρακτηριστικό:N-Channel
Διευρυμένη περιγραφή:N-Channel 100V 200A 680W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):-
Περιγραφή:MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:100V
Λόγος χωρητικότητα:680W (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXFN200N10P

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXFN230N10 Image IXFN230N10 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B Έρευνα
IXFN180N10 Image IXFN180N10 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B Έρευνα
IXFN180N15P Image IXFN180N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B Έρευνα
IXFN180N20 Image IXFN180N20 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B Έρευνα
IXFN180N25T Image IXFN180N25T IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227 Έρευνα
IXFN210N30X3 Image IXFN210N30X3 IXYS Corporation FET N-CHANNEL Έρευνα
IXFN170N65X2 Image IXFN170N65X2 IXYS Corporation MOSFET N-CH Έρευνα
IXFN210N20P Image IXFN210N20P IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B Έρευνα
IXFN23N100 Image IXFN23N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B Έρευνα
IXFN210N30P3 Image IXFN210N30P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227 Έρευνα
IXFN220N20X3 Image IXFN220N20X3 IXYS Corporation 200V/160A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Έρευνα
IXFN21N100Q Image IXFN21N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B Έρευνα
IXFN20N120P Image IXFN20N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B Έρευνα
IXFN230N20T Image IXFN230N20T IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227 Έρευνα
IXFN170N25X3 Image IXFN170N25X3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B Έρευνα
IXFN170N30P Image IXFN170N30P IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B Έρευνα
IXFN200N07 Image IXFN200N07 IXYS Corporation MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B Έρευνα
IXFN180N07 Image IXFN180N07 IXYS Corporation MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B Έρευνα
IXFN170N10 Image IXFN170N10 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B Έρευνα
IXFN20N120 Image IXFN20N120 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B Έρευνα

Latest Ειδήσεις