Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXFM11N80
IXFM11N80
Αριθμός εξαρτήματος:
IXFM11N80
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
POWER MOSFET TO-3
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
42985 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXFM11N80.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IXFM11N80 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXFM11N80, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXFM11N80 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXFM11N80 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-204AA
Σειρά:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:950 mOhm @ 5.5A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):300W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση:TO-204AA, TO-3
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:4200pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:155nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):800V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 800V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AA
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXFM11N80

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXFM1627 IXYS Corporation POWER MOSFET TO-3 Έρευνα
IXFM1633 IXYS Corporation POWER MOSFET TO-3 Έρευνα
IXFL55N50 Image IXFL55N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA Έρευνα
IXFM35N30 IXYS Corporation POWER MOSFET TO-3 Έρευνα
IXFL70N60Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264 Έρευνα
IXFM67N10 IXYS Corporation POWER MOSFET TO-3 Έρευνα
IXFL44N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 44A ISOPLUS264 Έρευνα
IXFL82N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS 264 Έρευνα
IXFL44N100P Image IXFL44N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 22A I5-PAK Έρευνα
IXFN100N10S2 Image IXFN100N10S2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B Έρευνα
IXFL80N50Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 64A ISOPLUS264 Έρευνα
IXFN100N10S1 Image IXFN100N10S1 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B Έρευνα
IXFM42N20 IXYS Corporation POWER MOSFET TO-3 Έρευνα
IXFM1766 IXYS Corporation POWER MOSFET TO-3 Έρευνα
IXFM15N60 IXYS Corporation POWER MOSFET TO-3 Έρευνα
IXFM10N90 IXYS Corporation POWER MOSFET TO-3 Έρευνα
IXFL44N60 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 41A ISOPLUS264 Έρευνα
IXFL60N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 40A ISOPLUS264 Έρευνα
IXFN100N10S3 Image IXFN100N10S3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B Έρευνα
IXFL60N60 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 60A ISOPLUS264 Έρευνα

Latest Ειδήσεις