Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXFL70N60Q2
IXFL70N60Q2
Αριθμός εξαρτήματος:
IXFL70N60Q2
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
52700 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXFL70N60Q2.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IXFL70N60Q2 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXFL70N60Q2, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXFL70N60Q2 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXFL70N60Q2 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5.5V @ 8mA
Vgs (Max):±30V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:ISOPLUS264™
Σειρά:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:92 mOhm @ 35A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):360W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:ISOPLUS264™
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:12000pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:265nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):600V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 600V 37A (Tc) 360W (Tc) Through Hole ISOPLUS264™
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:37A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXFL70N60Q2

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXFL82N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS 264 Έρευνα
IXFL80N50Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 64A ISOPLUS264 Έρευνα
IXFL40N110P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1100V 21A ISOPLUS264 Έρευνα
IXFM42N20 IXYS Corporation POWER MOSFET TO-3 Έρευνα
IXFL44N100P Image IXFL44N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 22A I5-PAK Έρευνα
IXFL38N100P Image IXFL38N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK Έρευνα
IXFL55N50 Image IXFL55N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA Έρευνα
IXFM1627 IXYS Corporation POWER MOSFET TO-3 Έρευνα
IXFL38N100Q2 Image IXFL38N100Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264 Έρευνα
IXFL39N90 IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264 Έρευνα
IXFM1633 IXYS Corporation POWER MOSFET TO-3 Έρευνα
IXFM15N60 IXYS Corporation POWER MOSFET TO-3 Έρευνα
IXFM10N90 IXYS Corporation POWER MOSFET TO-3 Έρευνα
IXFM11N80 IXYS Corporation POWER MOSFET TO-3 Έρευνα
IXFL44N60 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 41A ISOPLUS264 Έρευνα
IXFM1766 IXYS Corporation POWER MOSFET TO-3 Έρευνα
IXFL44N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 44A ISOPLUS264 Έρευνα
IXFL60N60 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 60A ISOPLUS264 Έρευνα
IXFL60N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 40A ISOPLUS264 Έρευνα
IXFM35N30 IXYS Corporation POWER MOSFET TO-3 Έρευνα

Latest Ειδήσεις