Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXFH52N30P
IXFH52N30P
IXFH52N30P
Αριθμός εξαρτήματος:
IXFH52N30P
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 300V 52A TO-247
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
40526 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXFH52N30P.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IXFH52N30P είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXFH52N30P, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXFH52N30P μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXFH52N30P με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-247AD (IXFH)
Σειρά:PolarHT™ HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:66 mOhm @ 500mA, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):400W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-247-3
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:24 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:3490pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:110nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):300V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 300V 52A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:52A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXFH52N30P

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXFH60N25Q Image IXFH60N25Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AD Έρευνα
IXFH50N50P3 Image IXFH50N50P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 Έρευνα
IXFH50N60X Image IXFH50N60X IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 50A TO247 Έρευνα
IXFH46N65X2 Image IXFH46N65X2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 46A TO-247 Έρευνα
IXFH50N60P3 Image IXFH50N60P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 50A TO247 Έρευνα
IXFH60N20 Image IXFH60N20 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 60A TO-247 Έρευνα
IXFH50N85X Image IXFH50N85X IXYS Corporation 850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS Έρευνα
IXFH58N20Q Image IXFH58N20Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD Έρευνα
IXFH44N50Q3 Image IXFH44N50Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 Έρευνα
IXFH56N30X3 Image IXFH56N30X3 IXYS Corporation 300V/56A ULTRA JUNCTION X3-CLASS Έρευνα
IXFH52N50P2 Image IXFH52N50P2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 52A TO247 Έρευνα
IXFH60N50P3 Image IXFH60N50P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 60A TO247 Έρευνα
IXFH50N30Q3 Image IXFH50N30Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 50A TO-247 Έρευνα
IXFH44N50P Image IXFH44N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 Έρευνα
IXFH60N60X Image IXFH60N60X IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 60A TO247 Έρευνα
IXFH4N100Q Image IXFH4N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247AD Έρευνα
IXFH52N30Q Image IXFH52N30Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 52A TO-247AD Έρευνα
IXFH58N20 Image IXFH58N20 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD Έρευνα
IXFH50N20 Image IXFH50N20 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD Έρευνα
IXFH60N65X2 Image IXFH60N65X2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 60A TO-247 Έρευνα

Latest Ειδήσεις