العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFH52N30P
IXFH52N30P
IXFH52N30P
رقم القطعة:
IXFH52N30P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 300V 52A TO-247
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
40526 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
IXFH52N30P.pdf
تحقيق

المقدمة

IXFH52N30P متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXFH52N30P، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXFH52N30P عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXFH52N30P مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 4mA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-247AD (IXFH)
سلسلة:PolarHT™ HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:66 mOhm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):400W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:3490pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:110nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):300V
وصف تفصيلي:N-Channel 300V 52A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:52A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFH52N30P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFH60N25Q Image IXFH60N25Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AD تحقيق
IXFH50N50P3 Image IXFH50N50P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 تحقيق
IXFH50N60X Image IXFH50N60X IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 50A TO247 تحقيق
IXFH46N65X2 Image IXFH46N65X2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 46A TO-247 تحقيق
IXFH50N60P3 Image IXFH50N60P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 50A TO247 تحقيق
IXFH60N20 Image IXFH60N20 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 60A TO-247 تحقيق
IXFH50N85X Image IXFH50N85X IXYS Corporation 850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS تحقيق
IXFH58N20Q Image IXFH58N20Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD تحقيق
IXFH44N50Q3 Image IXFH44N50Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 تحقيق
IXFH56N30X3 Image IXFH56N30X3 IXYS Corporation 300V/56A ULTRA JUNCTION X3-CLASS تحقيق
IXFH52N50P2 Image IXFH52N50P2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 52A TO247 تحقيق
IXFH60N50P3 Image IXFH60N50P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 60A TO247 تحقيق
IXFH50N30Q3 Image IXFH50N30Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 50A TO-247 تحقيق
IXFH44N50P Image IXFH44N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 تحقيق
IXFH60N60X Image IXFH60N60X IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 60A TO247 تحقيق
IXFH4N100Q Image IXFH4N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247AD تحقيق
IXFH52N30Q Image IXFH52N30Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 52A TO-247AD تحقيق
IXFH58N20 Image IXFH58N20 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD تحقيق
IXFH50N20 Image IXFH50N20 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD تحقيق
IXFH60N65X2 Image IXFH60N65X2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 60A TO-247 تحقيق

Latest الأخبار