Το IXFC74N20P είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXFC74N20P, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXFC74N20P μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXFC74N20P με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
IXFC74N20P
- Αριθμός εξαρτήματος:
- IXFC74N20P
- Κατασκευαστής:
- IXYS Corporation
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 27415 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- IXFC74N20P.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 4mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | ISOPLUS220™ |
| Σειρά: | PolarHT™ HiPerFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 36 mOhm @ 37A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 120W (Tc) |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | ISOPLUS220™ |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 3300pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 107nC @ 10V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 200V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 200V 35A (Tc) 120W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™ |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για IXFC74N20P
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFC36N50P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS220 | Έρευνα |
 |
IXFC40N30Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V ISOPLUS220 | Έρευνα |
|
IXFD24N50Q-72 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH | Έρευνα |
|
IXFD26N60Q-8XQ | IXYS Corporation | MOSFET N-CH | Έρευνα |
 |
IXFC26N50 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 23A ISOPLUS220 | Έρευνα |
|
IXFD23N60Q-72 | IXYS Corporation | MOSFET N-CHANNEL 600V DIE | Έρευνα |
|
IXFD26N50Q-72 | IXYS Corporation | MOSFET N-CHANNEL 500V DIE | Έρευνα |
|
IXFD15N100-8X | IXYS Corporation | MOSFET N-CH | Έρευνα |
|
IXFC22N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220 | Έρευνα |
|
IXFC80N08 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 80V 80A ISOPLUS220 | Έρευνα |
|
IXFC24N50Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220 | Έρευνα |
|
IXFD14N100-8X | IXYS Corporation | MOSFET N-CHANNEL 1000V DIE | Έρευνα |
|
IXFC52N30P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 24A ISOPLUS220 | Έρευνα |
|
IXFC96N15P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 42A ISPLUS220 | Έρευνα |
|
IXFC80N10 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220 | Έρευνα |
|
IXFC24N50 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220 | Έρευνα |
|
IXFC30N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 | Έρευνα |
 |
IXFC26N50P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220 | Έρευνα |
|
IXFC80N085 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 85V 80A ISOPLUS220 | Έρευνα |
|
IXFC60N20 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική