Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXFA5N100P
IXFA5N100P
IXFA5N100P
Αριθμός εξαρτήματος:
IXFA5N100P
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1000V 5A TO-263
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
52404 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXFA5N100P.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το IXFA5N100P είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXFA5N100P, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXFA5N100P μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXFA5N100P με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:6V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-263 (IXFA)
Σειρά:HiPerFET™, PolarP2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.8 Ohm @ 2.5A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):250W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:24 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:1830pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:33.4nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):1000V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 1000V 5A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:5A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXFA5N100P

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXFA4N100P Image IXFA4N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK Έρευνα
IXFA7N60P3 Image IXFA7N60P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 7A TO-263AA Έρευνα
IXFA4N60P3 Image IXFA4N60P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 4A TO-263AA Έρευνα
IXFA56N30X3 Image IXFA56N30X3 IXYS Corporation 300V/56A ULTRA JUNCTION X3-CLASS Έρευνα
IXFA4N100Q-TRL Image IXFA4N100Q-TRL IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 Έρευνα
IXFA76N15T2 Image IXFA76N15T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 76A TO263 Έρευνα
IXFA3N80 Image IXFA3N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263 Έρευνα
IXFA7N100P Image IXFA7N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 7A D2PAK Έρευνα
IXFA4N100Q Image IXFA4N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 Έρευνα
IXFA60N25X3 Image IXFA60N25X3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 60A TO263AA Έρευνα
IXFA72N20X3 Image IXFA72N20X3 IXYS Corporation 200V/72A ULTRA JUNCTION X3-CLASS Έρευνα
IXFA3N120TRL Image IXFA3N120TRL IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 Έρευνα
IXFA3N120 Image IXFA3N120 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 Έρευνα
IXFA38N30X3 Image IXFA38N30X3 IXYS Corporation FET N-CHANNEL Έρευνα
IXFA5N50P3 Image IXFA5N50P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 5A TO-263AA Έρευνα
IXFA72N30X3 Image IXFA72N30X3 IXYS Corporation 300V/72A ULTRA JUNCTION X3-CLASS Έρευνα
IXFA6N120P TRL Image IXFA6N120P TRL IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK Έρευνα
IXFA6N120P Image IXFA6N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK Έρευνα
IXFA4N85X Image IXFA4N85X IXYS Corporation MOSFET N-CH 850V 3.5A TO263 Έρευνα
IXFA7N80P Image IXFA7N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 7A TO-263 Έρευνα

Latest Ειδήσεις