Το IXFA230N075T2-7 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXFA230N075T2-7, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXFA230N075T2-7 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXFA230N075T2-7 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
IXFA230N075T2-7
- Αριθμός εξαρτήματος:
- IXFA230N075T2-7
- Κατασκευαστής:
- IXYS Corporation
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 75V 230A TO-263-7
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 49830 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- IXFA230N075T2-7.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max): | - |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-263-7 (IXTA..7) |
| Σειρά: | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.2 mOhm @ 50A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 480W (Tc) |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 24 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 10500pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 178nC @ 10V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 75V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 75V 230A (Tc) 480W (Tc) Surface Mount TO-263-7 (IXTA..7) |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 230A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για IXFA230N075T2-7
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFA30N60X | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 30A TO-263 | Έρευνα |
|
IXFA3N120 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 | Έρευνα |
|
IXFA36N20X3 | IXYS Corporation | 200V/36A ULTRA JUNCTION X3-CLASS | Έρευνα |
|
IXFA16N60P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 16A TO-263AA | Έρευνα |
 |
IXFA20N85XHV | IXYS Corporation | 850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS | Έρευνα |
|
IXFA180N10T2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA | Έρευνα |
 |
IXFA34N65X2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 650V 34A TO-263 | Έρευνα |
|
IXFA16N50P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 16A TO-263AA | Έρευνα |
 |
IXFA270N06T3 | IXYS Corporation | 60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE | Έρευνα |
|
IXFA38N30X3 | IXYS Corporation | FET N-CHANNEL | Έρευνα |
|
IXFA24N60X | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 24A TO-263 | Έρευνα |
 |
IXFA30N25X3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO263 | Έρευνα |
|
IXFA230N075T2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 75V 230A TO-263AA | Έρευνα |
|
IXFA20N50P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 20A TO-263AA | Έρευνα |
|
IXFA220N06T3 | IXYS Corporation | 60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE | Έρευνα |
|
IXFA26N50P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 26A TO-263AA | Έρευνα |
|
IXFA22N65X2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 650V 22A TO-263 | Έρευνα |
|
IXFA18N60X | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A TO-263AA | Έρευνα |
|
IXFA36N30P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 36A TO-263AA | Έρευνα |
|
IXFA22N60P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική