Το IXDD408CI είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IXDD408CI, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IXDD408CI μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IXDD408CI με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
IXDD408CI
- Αριθμός εξαρτήματος:
- IXDD408CI
- Κατασκευαστής:
- IXYS Corporation
- Περιγραφή:
- IC MOSFET DRVR LS 8A SGL 5TO-220
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 42593 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- IXDD408CI.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 4.5 V ~ 25 V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-220-5 |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος ανόδου / πτώσης (τύπος): | 14ns, 15ns |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-220-5 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Συχνότητα εισόδου: | 1 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Τάση λογικής - VIL, VIH: | 0.8V, 3.5V |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Τύπος εισόδου: | Non-Inverting |
| Τύπος πύλης: | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Προσαρμοσμένη ρύθμιση: | Low-Side |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting TO-220-5 |
| Τρέχουσα - Μέγιστη έξοδος (πηγή, νεροχύτης): | 8A, 8A |
| Βάσης-εκπομπού Κορεσμός Τάσης (Max): | Single |
| Αριθμός μέρους βάσης: | IXD*408 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για IXDD408CI
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
IXDA20N120AS-TUB | IXYS Corporation | IGBT | Έρευνα |
|
IXDD414CI | IXYS Corporation | IC MOSFET DRV LS 14A SGL 5TO-220 | Έρευνα |
|
IXDD404SI-16 | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 16SOIC | Έρευνα |
|
IXDD414SI | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR 14A LOSIDE 14SOIC | Έρευνα |
|
IXDD409SI | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-SOIC | Έρευνα |
 |
IXDD409YI | IXYS Corporation | IC HIGH CURR GATE DRVR 9A TO-263 | Έρευνα |
|
IXDD404SIA | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR DUAL 4A 8-SOIC | Έρευνα |
 |
IXDD408YI | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR LS 8A SGL 5TO-263 | Έρευνα |
|
IXDD408SI | IXYS Corporation | IC MOSFET DRIVER LS 8A SGL 8SOIC | Έρευνα |
|
IXDD404SIA-16 | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR DUAL 4A 16-SOIC | Έρευνα |
 |
IXDA20N120AS-TUBE | IXYS Corporation | IGBT 1200V 38A 200W TO263AB | Έρευνα |
|
IXD611S7T/R | IXYS Corporation | IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14SOIC | Έρευνα |
|
IXDD408PI | IXYS Corporation | IC MOSFET DRIVER LS 8A SGL 8-DIP | Έρευνα |
|
IXDD404PI | IXYS Corporation | IC MOSFET DRIVER LS 4A DUAL 8DIP | Έρευνα |
|
IXDD409PI | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-DIP | Έρευνα |
|
IXDA20N120AS | IXYS Corporation | IGBT 1200V 38A 200W TO263AB | Έρευνα |
|
IXDD414PI | IXYS Corporation | IC MOSFET DRIVER LS 14A SGL 8DIP | Έρευνα |
|
IXDD404SI | IXYS Corporation | IC MOSFET DRIVR LS 4A DUAL 8SOIC | Έρευνα |
|
IXD611S7 | IXYS Corporation | IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14SOIC | Έρευνα |
|
IXDD409CI | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO220-5 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC