Το ISL6173DRZA-T είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την ISL6173DRZA-T, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το ISL6173DRZA-T μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε ISL6173DRZA-T με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
ISL6173DRZA-T
- Αριθμός εξαρτήματος:
- ISL6173DRZA-T
- Κατασκευαστής:
- Intersil
- Περιγραφή:
- IC CTRLR HOT SWAP DUAL LV 28-QFN
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 33858 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- ISL6173DRZA-T.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 2.25 V ~ 3.63 V |
| Τύπος: | Hot Swap Controller |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 28-QFN (5x5) |
| Σειρά: | - |
| Προγραμματιζόμενα χαρακτηριστικά: | Auto Retry, Current Limit, Fault Timeout, Latched Fault, Slew Rate |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 28-VFQFN Exposed Pad |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | 0°C ~ 85°C |
| Αριθμός καναλιών: | 2 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 6 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Εσωτερική Switch (s): | No |
| Χαρακτηριστικά: | - |
| Χαρακτηριστικά καρφίτσες: | CT1, CT2, /EN1, /EN2, /FLT1, /FLT2, OCREF, /PG1, /PG2, (/RTR,LTCH), SS1, SS2, UV1, UV2, VS1, VS2 |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Hot Swap Controller 2 Channel General Purpose 28-QFN (5x5) |
| Τρέχουσες - Προμήθεια: | 9mA |
| Τρέχουσες - εξόδου (Max): | - |
| Αριθμός μέρους βάσης: | ISL6173 |
| εφαρμογές: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για ISL6173DRZA-T
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
ISL61851ACBZ-T | Intersil | IC USB PWR CTRLR DUAL 8SOIC | Έρευνα |
 |
ISL6174IRZ-T | Intersil | IC CIRC BREAKER DUAL LV 28-QFN | Έρευνα |
|
ISL61851AIBZ | Intersil | IC USB PWR CTRLR DUAL 8SOIC | Έρευνα |
|
ISL61851ACBZ | Intersil | IC USB PWR CTRLR DUAL 8SOIC | Έρευνα |
|
ISL6161IBZA-T | Intersil | IC CTRLR PWR DISTRIB DUAL 14SOIC | Έρευνα |
|
ISL6172DRZA-T | Intersil | IC CTRLR HOT SWAP DUAL LV 28-QFN | Έρευνα |
|
ISL61851AIBZ-T7A | Intersil | IC USB PWR CTRLR DUAL 8SOIC | Έρευνα |
|
ISL6174IRZ | Intersil | IC CIRC BREAKER DUAL LV 28-QFN | Έρευνα |
|
ISL6161CBZA-T | Intersil | IC CTLR PWR DISTRIB DUAL 14SOIC | Έρευνα |
|
ISL6161IBZA | Intersil | IC CTRLR PWR DISTRIB DUAL 14SOIC | Έρευνα |
|
ISL61851BCBZ | Intersil | IC USB PWR CTRLR DUAL 8SOIC | Έρευνα |
|
ISL61851BCBZ-T | Intersil | IC USB PWR CTRLR DUAL 8SOIC | Έρευνα |
|
ISL61851BIBZ | Intersil | IC USB PWR CTRLR DUAL 8SOIC | Έρευνα |
|
ISL6173DRZA | Intersil | IC CTRLR HOT SWAP DUAL LV 28QFN | Έρευνα |
|
ISL6160CB-T | Intersil | IC CTRLR BULK/AUXILIARY 14-SOIC | Έρευνα |
|
ISL6161CBZA | Intersil | IC CTLR PWR DISTRIB DUAL 14SOIC | Έρευνα |
|
ISL61851AIBZ-T | Intersil | IC USB PWR CTRLR DUAL 8SOIC | Έρευνα |
|
ISL6172DRZA | Intersil | IC CTRLR HOT SWAP DUAL LV 28-QFN | Έρευνα |
|
ISL6161CB-T | Intersil | IC CTRLR PWR DISTRIB DUAL 14SOIC | Έρευνα |
|
ISL6161CB | Intersil | IC CTRLR PWR DISTRIB DUAL 14SOIC | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC