Το ISC1210BN5R6K είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την ISC1210BN5R6K, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το ISC1210BN5R6K μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε ISC1210BN5R6K με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
ISC1210BN5R6K
- Αριθμός εξαρτήματος:
- ISC1210BN5R6K
- Κατασκευαστής:
- Dale / Vishay
- Περιγραφή:
- FIXED IND 5.6UH 210MA 1.4 OHM
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 39680 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- ISC1210BN5R6K.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τύπος: | Wirewound |
| Ανοχή: | ±10% |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 1210 |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
| θωράκιση: | Shielded |
| Σειρά: | ISC-1210 |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Q @ Συχν: | 30 @ 7.96MHz |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 1210 (3225 Metric) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Υλικό - Πυρήνας: | Iron Powder |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Επαγωγική συχνότητα - Δοκιμή: | 7.96MHz |
| Επαγωγή: | 5.6µH |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.095" (2.41mm) |
| Συχνότητα - Αυτο Resonant: | 50MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 5.6µH Shielded Wirewound Inductor 210mA 1.4 Ohm Max 1210 (3225 Metric) |
| Αντίσταση DC (DCR): | 1.4 Ohm Max |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | 210mA |
| Τρέχουσες - Κορεσμός: | - |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για ISC1210BN5R6K
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
ISC1210BN680K | Dale / Vishay | FIXED IND 68UH 90MA 10 OHM SMD | Έρευνα |
|
ISC1210BN47NM | Dale / Vishay | FIXED IND 47NH 495MA 260 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1210BN680J | Dale / Vishay | FIXED IND 68UH 90MA 10 OHM SMD | Έρευνα |
|
ISC1210BN470J | Dale / Vishay | FIXED IND 47UH 100MA 8 OHM SMD | Έρευνα |
|
ISC1210BN820K | Dale / Vishay | FIXED IND 82UH 85MA 11 OHM SMD | Έρευνα |
|
ISC1210BN470K | Dale / Vishay | FIXED IND 47UH 100MA 8 OHM SMD | Έρευνα |
|
ISC1210BN82NM | Dale / Vishay | FIXED IND 82NH 460MA 450 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1210BN6R8J | Dale / Vishay | FIXED IND 6.8UH 205MA 1.6 OHM | Έρευνα |
|
ISC1210BN5R6J | Dale / Vishay | FIXED IND 5.6UH 210MA 1.4 OHM | Έρευνα |
|
ISC1210BN4R7J | Dale / Vishay | FIXED IND 4.7UH 220MA 1.25 OHM | Έρευνα |
|
ISC1210BN68NM | Dale / Vishay | FIXED IND 68NH 475MA 350 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1210BN56NK | Dale / Vishay | FIXED IND 56NH 485MA 280 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1210BN4R7K | Dale / Vishay | FIXED IND 4.7UH 220MA 1.25 OHM | Έρευνα |
|
ISC1210BN6R8K | Dale / Vishay | FIXED IND 6.8UH 205MA 1.6 OHM | Έρευνα |
|
ISC1210BN56NM | Dale / Vishay | FIXED IND 56NH 485MA 280 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1210BN560K | Dale / Vishay | FIXED IND 56UH 95MA 10 OHM SMD | Έρευνα |
|
ISC1210BN68NK | Dale / Vishay | FIXED IND 68NH 475MA 350 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1210BN82NK | Dale / Vishay | FIXED IND 82NH 460MA 450 MOHM | Έρευνα |
|
ISC1210BN820J | Dale / Vishay | FIXED IND 82UH 85MA 11 OHM SMD | Έρευνα |
|
ISC1210BN560J | Dale / Vishay | FIXED IND 56UH 95MA 10 OHM SMD | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική