IRFR120ATM
Αριθμός εξαρτήματος:
IRFR120ATM
Κατασκευαστής:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 8.4A DPAK
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
27600 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IRFR120ATM.pdf

Εισαγωγή

Το IRFR120ATM είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IRFR120ATM, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IRFR120ATM μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IRFR120ATM με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):-
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-252AA
Σειρά:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:200 mOhm @ 4.2A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):2.5W (Ta), 32W (Tc)
Συσκευασία:Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:480pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:22nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):100V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 100V 8.4A (Tc) 2.5W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:8.4A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Latest Ειδήσεις