IRF6691TR1
IRF6691TR1
Αριθμός εξαρτήματος:
IRF6691TR1
Κατασκευαστής:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
Ποσότητα αποθέματος:
22597 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IRF6691TR1.pdf

Εισαγωγή

Το IRF6691TR1 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IRF6691TR1, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IRF6691TR1 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IRF6691TR1 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:DIRECTFET™ MT
Σειρά:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.8 mOhm @ 15A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):2.8W (Ta), 89W (Tc)
Συσκευασία:Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:DirectFET™ Isometric MT
Αλλα ονόματα:SP001530888
Θερμοκρασία λειτουργίας:-40°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):3 (168 Hours)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:6580pF @ 10V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:71nC @ 4.5V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):20V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 20V 32A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:32A (Ta), 180A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Latest Ειδήσεις