Το IR21834STR είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IR21834STR, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IR21834STR μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IR21834STR με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
IR21834STR
- Αριθμός εξαρτήματος:
- IR21834STR
- Κατασκευαστής:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Περιγραφή:
- IC DRIVER HALFBRIDGE 600V 14SOIC
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 29091 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- IR21834STR.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Προμήθεια: | 10 V ~ 20 V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 14-SOIC |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος ανόδου / πτώσης (τύπος): | 40ns, 20ns |
| Συσκευασία: | Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Αλλα ονόματα: | *IR21834STR IR21834SCT |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Συχνότητα εισόδου: | 2 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Τάση λογικής - VIL, VIH: | 0.8V, 2.7V |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Τύπος εισόδου: | Inverting, Non-Inverting |
| Υψηλής Τάσης Side - Max (Bootstrap): | 600V |
| Τύπος πύλης: | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Προσαρμοσμένη ρύθμιση: | Half-Bridge |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Half-Bridge Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 14-SOIC |
| Τρέχουσα - Μέγιστη έξοδος (πηγή, νεροχύτης): | 1.9A, 2.3A |
| Βάσης-εκπομπού Κορεσμός Τάσης (Max): | Independent |
| Αριθμός μέρους βάσης: | IR21834S |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για IR21834STR
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο