Το IMN11T110 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IMN11T110, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IMN11T110 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IMN11T110 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
IMN11T110
- Αριθμός εξαρτήματος:
- IMN11T110
- Κατασκευαστής:
- LAPIS Semiconductor
- Περιγραφή:
- DIODE ARRAY GP 80V 100MA 6SMD
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 48749 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- IMN11T110.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.2V @ 100mA |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 80V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 6-SMD |
| Ταχύτητα: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 4ns |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SC-74, SOT-457 |
| Αλλα ονόματα: | IMN11T110-ND IMN11T110TR |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | 150°C (Max) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Διαμόρφωση δίοδος: | 2 Pair Common Cathode |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Array 2 Pair Common Cathode Standard 80V 100mA Surface Mount SC-74, SOT-457 |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 100nA @ 70V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) (ανά Diode): | 100mA |
| Αριθμός μέρους βάσης: | MN11 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για IMN11T110
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
IMN22122M12 | Crouzet | IPD M12 SHLD 3W SPST M12 | Έρευνα |
|
IMN223020C | Crouzet | IPD M30 SHLD 3W SPST 2M | Έρευνα |
|
IMN223020M12 | Crouzet | IPD M30 SHLD 3W SPST M12 | Έρευνα |
|
IMN223010C | Crouzet | IPD M30 SHLD 3W SPST 2M | Έρευνα |
|
IMN223010P | Crouzet | IPD M30 SHLD 3W SPST PLUG | Έρευνα |
|
IMN22124M12 | Crouzet | IPD M12 SHLD 3W SPST M12 | Έρευνα |
|
IMN15124C | Crouzet | IPD M12 NONSHLD 3W SPST 2M | Έρευνα |
|
IMN22185P | Crouzet | IPD M18 SHLD 3W SPST PLUG | Έρευνα |
 |
IMN10T108 | LAPIS Semiconductor | DIODE ARRAY GP 80V 100MA 6SMD | Έρευνα |
|
IMN22122P | Crouzet | IPD M12 SHLD 3W SPST PLUG | Έρευνα |
|
IMN223010M12 | Crouzet | IPD M30 SHLD 3W SPST M12 | Έρευνα |
|
IMN223020P | Crouzet | IPD M30 SHLD 3W SPST PLUG | Έρευνα |
|
IMN22188P | Crouzet | IPD M18 SHLD 3W SPST PLUG | Έρευνα |
|
IMN22122C | Crouzet | IPD M12 SHLD 3W SPST 2M | Έρευνα |
|
IMN22188C | Crouzet | IPD M18 SHLD 3W SPST 2M | Έρευνα |
|
IMN22185C | Crouzet | IPD M18 SHLD 3W SPST 2M | Έρευνα |
|
IMN22124C | Crouzet | IPD M12 SHLD 3W SPST 2M | Έρευνα |
|
IMN22188M12 | Crouzet | IPD M18 SHLD 3W SPST M12 | Έρευνα |
|
IMN22185M12 | Crouzet | IPD M18 SHLD 3W SPST M12 | Έρευνα |
|
IMN22124P | Crouzet | IPD M12 SHLD 3W SPST PLUG | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο