Το ILB1206ER151V είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την ILB1206ER151V, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το ILB1206ER151V μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε ILB1206ER151V με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
ILB1206ER151V
- Αριθμός εξαρτήματος:
- ILB1206ER151V
- Κατασκευαστής:
- Dale / Vishay
- Περιγραφή:
- FERRITE BEAD 150 OHM 1206 1LN
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 46219 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- ILB1206ER151V.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| Σειρά: | ILB-1206 |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 1206 (3216 Metric) |
| Αλλα ονόματα: | 541-2281-2 ILB1206ER151V-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| Αριθμός Γραμμών: | 1 |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 20 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Σύνθετη αντίσταση @ Συχνότητα: | 150 Ohms @ 100MHz |
| Ύψος (Max): | 0.051" (1.30mm) |
| Τύπος φίλτρου: | - |
| Αντίσταση DC (DCR) (Μέγ.): | 200 mOhm |
| Κάρτα Πάχος (mm): | 300mA |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για ILB1206ER151V
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
ILB1206ER152V | Dale / Vishay | FERRITE BEAD 1.5 KOHM 1206 1LN | Έρευνα |
|
ILB1206ER900V | Dale / Vishay | FERRITE BEAD 90 OHM 1206 1LN | Έρευνα |
 |
ILBB0402ER200V | Dale / Vishay | FERRITE BEAD 20 OHM 0402 1LN | Έρευνα |
|
ILB1206ER102V | Dale / Vishay | FERRITE BEAD 1 KOHM 1206 1LN | Έρευνα |
 |
ILB1206ER121V | Dale / Vishay | FERRITE BEAD 120 OHM 1206 1LN | Έρευνα |
|
ILB1206ER501V | Dale / Vishay | FERRITE BEAD 500 OHM 1206 1LN | Έρευνα |
|
ILB1206ER202V | Dale / Vishay | FERRITE BEAD 2 KOHM 1206 1LN | Έρευνα |
|
ILB1206ER201V | Dale / Vishay | FERRITE BEAD 200 OHM 1206 1LN | Έρευνα |
|
ILB1206ER310V | Dale / Vishay | FERRITE BEAD 31 OHM 1206 1LN | Έρευνα |
|
ILBB0402ER121V | Dale / Vishay | FERRITE BEAD 120 OHM 0402 1LN | Έρευνα |
|
ILB1206ER601V | Dale / Vishay | FERRITE BEAD 600 OHM 1206 1LN | Έρευνα |
|
ILB1206ER801V | Dale / Vishay | FERRITE BEAD 800 OHM 1206 1LN | Έρευνα |
|
ILB1206ER800V | Dale / Vishay | FERRITE BEAD 80 OHM 1206 1LN | Έρευνα |
|
ILB1206ER190V | Dale / Vishay | FERRITE BEAD 19 OHM 1206 1LN | Έρευνα |
|
ILB1206ER301V | Dale / Vishay | FERRITE BEAD 300 OHM 1206 1LN | Έρευνα |
|
ILB1206ER700V | Dale / Vishay | FERRITE BEAD 70 OHM 1206 1LN | Έρευνα |
|
ILB1206ER122V | Dale / Vishay | FERRITE BEAD 1.2 KOHM 1206 1LN | Έρευνα |
|
ILB1206ER600V | Dale / Vishay | FERRITE BEAD 60 OHM 1206 1LN | Έρευνα |
|
ILB1206ER500V | Dale / Vishay | FERRITE BEAD 50 OHM 1206 1LN | Έρευνα |
|
ILB1206ER260V | Dale / Vishay | FERRITE BEAD 26 OHM 1206 1LN | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο