Το IHLP2020ABER4R7M01 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IHLP2020ABER4R7M01, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IHLP2020ABER4R7M01 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IHLP2020ABER4R7M01 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
IHLP2020ABER4R7M01
- Αριθμός εξαρτήματος:
- IHLP2020ABER4R7M01
- Κατασκευαστής:
- Dale / Vishay
- Περιγραφή:
- FIXED IND 4.7UH 2.2A 168 MOHM
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 35270 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.IHLP2020ABER4R7M01.pdf2.IHLP2020ABER4R7M01.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τύπος: | Molded |
| Ανοχή: | ±20% |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | - |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.216" L x 0.204" W (5.49mm x 5.18mm) |
| θωράκιση: | Shielded |
| Σειρά: | IHLP-2020AB-01 |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Q @ Συχν: | - |
| Συσκευασία: | Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Nonstandard |
| Αλλα ονόματα: | 541-1706-1 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Υλικό - Πυρήνας: | - |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Επαγωγική συχνότητα - Δοκιμή: | 100kHz |
| Επαγωγή: | 4.7µH |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.047" (1.20mm) |
| Συχνότητα - Αυτο Resonant: | 30MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 4.7µH Shielded Molded Inductor 2.2A 168 mOhm Max Nonstandard |
| Αντίσταση DC (DCR): | 168 mOhm Max |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | 2.2A |
| Τρέχουσες - Κορεσμός: | 4.4A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για IHLP2020ABER4R7M01
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
IHLP1616BZERR47M0H | Dale / Vishay | IHLP-1616BZ-0H .47 20% ER E3 | Έρευνα |
 |
IHLP2020ABERR10M01 | Dale / Vishay | FIXED IND 100NH 13.5A 4.6 MOHM | Έρευνα |
|
IHLP2020ABER3R3M01 | Dale / Vishay | FIXED IND 3.3UH 2.8A 103 MOHM | Έρευνα |
 |
IHLP1616BZERR47M11 | Dale / Vishay | FIXED IND 470NH 7A 16 MOHM SMD | Έρευνα |
 |
IHLP2020BZER1R0M01 | Vishay Dale | FIXED IND 1UH 7A 20 MOHM SMD | Έρευνα |
|
IHLP1616BZERR10M11 | Dale / Vishay | FIXED IND 100NH 12A 4.5 MOHM SMD | Έρευνα |
|
IHLP2020BZER2R2M11 | Dale / Vishay | FIXED IND 2.2UH 5A 37.7 MOHM SMD | Έρευνα |
|
IHLP1616BZERR10M0H | Dale / Vishay | IHLP-1616BZ-0H .1 20% ER E3 | Έρευνα |
|
IHLP2020BZER3R3M01 | Dale / Vishay | FIXED IND 3.3UH 3.3A 85.5 MOHM | Έρευνα |
|
IHLP2020BZER1R0M11 | Dale / Vishay | FIXED IND 1UH 7.5A 18.1 MOHM SMD | Έρευνα |
|
IHLP1616BZERR47M01 | Dale / Vishay | FIXED IND 470NH 5.6A 18 MOHM SMD | Έρευνα |
|
IHLP2020BZER2R2M01 | Dale / Vishay | FIXED IND 2.2UH 4.2A 50.1 MOHM | Έρευνα |
|
IHLP1616BZERR22M01 | Dale / Vishay | FIXED IND 220NH 13A 8 MOHM SMD | Έρευνα |
|
IHLP2020ABER1R0M01 | Dale / Vishay | FIXED IND 1UH 4.4A 46.5 MOHM SMD | Έρευνα |
|
IHLP2020BZER3R3M11 | Dale / Vishay | FIXED IND 3.3UH 4.1A 57.8 MOHM | Έρευνα |
|
IHLP2020BZER100M11 | Dale / Vishay | FIXED IND 10UH 2.2A 182.8 MOHM | Έρευνα |
|
IHLP2020ABERR47M01 | Dale / Vishay | FIXED IND 470NH 6.5A 19.2 MOHM | Έρευνα |
|
IHLP2020BZER100M01 | Vishay Dale | FIXED IND 10UH 2.3A 199 MOHM SMD | Έρευνα |
|
IHLP1616BZERR22M11 | Dale / Vishay | FIXED IND 220NH 9A 7 MOHM SMD | Έρευνα |
|
IHLP2020ABER2R2M01 | Dale / Vishay | FIXED IND 2.2UH 3.4A 77.3 MOHM | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική