Το IDCP3020ER151M είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IDCP3020ER151M, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IDCP3020ER151M μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IDCP3020ER151M με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
IDCP3020ER151M
- Αριθμός εξαρτήματος:
- IDCP3020ER151M
- Κατασκευαστής:
- Dale / Vishay
- Περιγραφή:
- FIXED IND 150UH 580MA 640 MOHM
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 59550 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- IDCP3020ER151M.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τύπος: | Wirewound |
| Ανοχή: | ±20% |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | - |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.307" L x 0.276" W (7.80mm x 7.00mm) |
| θωράκιση: | Unshielded |
| Σειρά: | IDCP-3020 |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Q @ Συχν: | - |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Nonstandard |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -25°C ~ 105°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Υλικό - Πυρήνας: | Ferrite |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 20 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Επαγωγική συχνότητα - Δοκιμή: | 1kHz |
| Επαγωγή: | 150µH |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.217" (5.50mm) |
| Συχνότητα - Αυτο Resonant: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 150µH Unshielded Wirewound Inductor 580mA 640 mOhm Max Nonstandard |
| Αντίσταση DC (DCR): | 640 mOhm Max |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | 580mA |
| Τρέχουσες - Κορεσμός: | - |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για IDCP3020ER151M
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
IDCP3020ER101M | Dale / Vishay | FIXED IND 100UH 720MA 430 MOHM | Έρευνα |
|
IDCP3020ER100K | Dale / Vishay | IDCP-3020 10 10% ER E1 | Έρευνα |
|
IDCP3020ER221M | Dale / Vishay | FIXED IND 220UH 490MA 960 MOHM | Έρευνα |
|
IDCP3020ER220M | Dale / Vishay | FIXED IND 22UH 1.5A 110 MOHM SMD | Έρευνα |
|
IDCP3020ER180M | Dale / Vishay | FIXED IND 18UH 1.6A 100 MOHM SMD | Έρευνα |
|
IDCP3020ER330M | Dale / Vishay | FIXED IND 33UH 1.2A 130 MOHM SMD | Έρευνα |
|
IDCP3020ER271M | Dale / Vishay | FIXED IND 270UH 420MA 1.11 OHM | Έρευνα |
|
IDCP3020ER120M | Dale / Vishay | FIXED IND 12UH 2A 80 MOHM SMD | Έρευνα |
|
IDCP2218ER4R7M | Dale / Vishay | FIXED IND 4.7UH SMD | Έρευνα |
|
IDCP2218ER680M | Dale / Vishay | FIXED IND 68UH 610MA 460 MOHM | Έρευνα |
|
IDCP3020ER220K | Dale / Vishay | IDCP-3020 22 10% ER E1 | Έρευνα |
|
IDCP3020ER150M | Dale / Vishay | FIXED IND 15UH 1.8A 90 MOHM SMD | Έρευνα |
|
IDCP2218ER330M | Dale / Vishay | FIXED IND 33UH 880MA 230 MOHM | Έρευνα |
|
IDCP3020ER181M | Dale / Vishay | FIXED IND 180UH 510MA 710 MOHM | Έρευνα |
|
IDCP2218ER470M | Dale / Vishay | FIXED IND 47UH 720MA 370 MOHM | Έρευνα |
|
IDCP3020ER270M | Dale / Vishay | FIXED IND 27UH 1.3A 120 MOHM SMD | Έρευνα |
|
IDCP3020ER331M | Dale / Vishay | FIXED IND 330UH 400MA 1.26 OHM | Έρευνα |
|
IDCP3020ER331K | Dale / Vishay | IDCP-3020 330 10% ER E1 | Έρευνα |
|
IDCP3020ER100M | Dale / Vishay | FIXED IND 10UH 2.3A 70 MOHM SMD | Έρευνα |
|
IDCP2218ER470K | Dale / Vishay | IDCP-2218 47 10% ER E1 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική